ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.11GHz ~ 2.17GHz, મેળવો: 18.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 18A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.5GHz ~ 2.7GHz, મેળવો: 17dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 29A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel Dual Gate, આવર્તન: 800MHz, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 5V, વર્તમાન રેટિંગ: 40mA, અવાજ આકૃતિ: 2dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel Dual Gate, આવર્તન: 200MHz, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 5V, વર્તમાન રેટિંગ: 30mA, અવાજ આકૃતિ: 1dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel Dual Gate, આવર્તન: 200MHz, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 8V, વર્તમાન રેટિંગ: 40mA, અવાજ આકૃતિ: 0.6dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, આવર્તન: 100MHz, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 10V, વર્તમાન રેટિંગ: 30mA, અવાજ આકૃતિ: 1.5dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, આવર્તન: 100MHz, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 15V, વર્તમાન રેટિંગ: 6.5mA, અવાજ આકૃતિ: 1.5dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, વર્તમાન રેટિંગ: 10mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel Dual Gate, આવર્તન: 800MHz, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 5V, વર્તમાન રેટિંગ: 30mA, અવાજ આકૃતિ: 1.7dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.8GHz ~ 1.88GHz, મેળવો: 17.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2GHz ~ 2.2GHz, મેળવો: 17.5dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.8GHz, મેળવો: 16.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 5µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 871.5MHz, મેળવો: 20.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 49A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 894MHz, મેળવો: 19.7dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 15A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2GHz, મેળવો: 11dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 26V, વર્તમાન રેટિંગ: 12A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, આવર્તન: 100MHz, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 15V, વર્તમાન રેટિંગ: 25mA, અવાજ આકૃતિ: 1.5dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, આવર્તન: 100MHz, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 15V, વર્તમાન રેટિંગ: 15mA, અવાજ આકૃતિ: 1.5dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.11GHz ~ 2.17GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 12A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.93GHz ~ 1.99GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 12A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.11GHz ~ 2.17GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 15A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.93GHz ~ 1.99GHz, મેળવો: 13.4dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 12A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.93GHz ~ 1.99GHz, મેળવો: 14.6dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 15A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 920MHz ~ 960MHz, મેળવો: 19dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 12A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, વર્તમાન રેટિંગ: 15mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel Dual Gate, આવર્તન: 400MHz, મેળવો: 27dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 5V, વર્તમાન રેટિંગ: 30mA, અવાજ આકૃતિ: 1dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel Dual Gate, આવર્તન: 400MHz, મેળવો: 29dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 5V, વર્તમાન રેટિંગ: 30mA, અવાજ આકૃતિ: 0.9dB,
