ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 2

1PS193,115

આંશિક માલ: 1062

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 215mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

1PS193,135

આંશિક માલ: 5187

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 215mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

1N914B,113

આંશિક માલ: 348

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

1N4148,113

આંશિક માલ: 9942

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 10mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

1N4148,143

આંશિક માલ: 9977

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 10mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

1N4148,133

આંશિક માલ: 9978

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 10mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

1PS59SB20,115

આંશિક માલ: 9887

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 500mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 500mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

1N4448,113

આંશિક માલ: 9889

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

1N4448,143

આંશિક માલ: 9886

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

1PS59SB10,115

આંશિક માલ: 9579

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 5ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAT54T,115

આંશિક માલ: 1894

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 5ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAS116T,115

આંશિક માલ: 1894

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 215mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 3µs,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BYC8B-600PQP

આંશિક માલ: 1423

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 3.4V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 18ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BY229X-800,127

આંશિક માલ: 1511

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.85V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 135ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BYD17G,115

આંશિક માલ: 1052

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.05V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 3µs,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAW62,133

આંશિક માલ: 1029

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BY229-600,127

આંશિક માલ: 496

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.85V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 135ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAT254,115

આંશિક માલ: 478

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 5ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BYD17K,135

આંશિક માલ: 390

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.05V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 3µs,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BYD77D,115

આંશિક માલ: 303

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 850mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 980mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 25ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BYD37M,115

આંશિક માલ: 388

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 600mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 300ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BYD77B,115

આંશિક માલ: 365

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 850mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 980mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 25ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BYD17J,115

આંશિક માલ: 375

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.05V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 3µs,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BYD17D,115

આંશિક માલ: 296

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.05V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 3µs,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BY329X-1200,127

આંશિક માલ: 9889

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.85V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 145ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BY329-1500S,127

આંશિક માલ: 9919

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 6A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.6V @ 6.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 160ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAS216,115

આંશિક માલ: 9921

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BY359-1500,127

આંશિક માલ: 9954

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 20A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 600ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAS216,135

આંશિક માલ: 9878

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAS16T,115

આંશિક માલ: 9970

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 155mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAW62,113

આંશિક માલ: 9968

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAW62,143

આંશિક માલ: 9956

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAS316/ZLX

આંશિક માલ: 9620

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 215mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAS40/ZLVL

આંશિક માલ: 9547

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 40mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAS321/ZLX

આંશિક માલ: 9538

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

NXP USA Inc.

BAS321/ZLF

આંશિક માલ: 9610

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ