મેમરી

11LC040T-I/MNY

11LC040T-I/MNY

આંશિક માલ: 156561

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA040T-I/MS

11AA040T-I/MS

આંશિક માલ: 119690

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC040T-I/MS

11LC040T-I/MS

આંશિક માલ: 180076

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA160T-I/SN

11AA160T-I/SN

આંશિક માલ: 104888

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC160T-I/SN

11LC160T-I/SN

આંશિક માલ: 140448

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC010-I/MS

11LC010-I/MS

આંશિક માલ: 189256

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA010-I/MS

11AA010-I/MS

આંશિક માલ: 182183

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA040-I/SN

11AA040-I/SN

આંશિક માલ: 127212

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC040-I/SN

11LC040-I/SN

આંશિક માલ: 155848

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC020T-I/MNY

11LC020T-I/MNY

આંશિક માલ: 136181

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA161T-I/TT

11AA161T-I/TT

આંશિક માલ: 181742

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA020-I/MS

11AA020-I/MS

આંશિક માલ: 167792

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA020T-I/MS

11AA020T-I/MS

આંશિક માલ: 155456

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA080T-I/SN

11AA080T-I/SN

આંશિક માલ: 188730

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC160T-I/TT

11LC160T-I/TT

આંશિક માલ: 171430

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA160T-I/TT

11AA160T-I/TT

આંશિક માલ: 108791

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC010T-E/SN

11LC010T-E/SN

આંશિક માલ: 101444

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC161T-I/TT

11LC161T-I/TT

આંશિક માલ: 173910

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC020-I/MS

11LC020-I/MS

આંશિક માલ: 117480

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA020T-I/MNY

11AA020T-I/MNY

આંશિક માલ: 120097

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC010-E/SN

11LC010-E/SN

આંશિક માલ: 150572

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC020T-I/MS

11LC020T-I/MS

આંશિક માલ: 109292

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC080T-I/SN

11LC080T-I/SN

આંશિક માલ: 164289

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC080-I/SN

11LC080-I/SN

આંશિક માલ: 166910

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA080-I/SN

11AA080-I/SN

આંશિક માલ: 136931

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC020T-E/TT

11LC020T-E/TT

આંશિક માલ: 134787

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA010-I/TO

11AA010-I/TO

આંશિક માલ: 197612

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA020-I/SN

11AA020-I/SN

આંશિક માલ: 117883

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC020-I/SN

11LC020-I/SN

આંશિક માલ: 108616

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC010T-I/MNY

11LC010T-I/MNY

આંશિક માલ: 120443

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC040T-I/SN

11LC040T-I/SN

આંશિક માલ: 145387

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA010T-I/MS

11AA010T-I/MS

આંશિક માલ: 172716

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC080T-I/TT

11LC080T-I/TT

આંશિક માલ: 193390

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA010T-I/MNY

11AA010T-I/MNY

આંશિક માલ: 127586

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA040T-I/SN

11AA040T-I/SN

આંશિક માલ: 127093

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA020-I/TO

11AA020-I/TO

આંશિક માલ: 108373

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ