મેમરી

11LC080-E/MS

11LC080-E/MS

આંશિક માલ: 198909

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC080T-E/MS

11LC080T-E/MS

આંશિક માલ: 103321

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA02E48T-I/TT

11AA02E48T-I/TT

આંશિક માલ: 112721

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC040-E/P

11LC040-E/P

આંશિક માલ: 176294

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC080T-E/MNY

11LC080T-E/MNY

આંશિક માલ: 181583

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA02E64T-I/TT

11AA02E64T-I/TT

આંશિક માલ: 152425

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC040T-E/MNY

11LC040T-E/MNY

આંશિક માલ: 103344

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC040-E/MS

11LC040-E/MS

આંશિક માલ: 164258

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA161-I/P

11AA161-I/P

આંશિક માલ: 127792

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC160T-E/SN

11LC160T-E/SN

આંશિક માલ: 155830

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC161T-E/SN

11LC161T-E/SN

આંશિક માલ: 149765

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC020-E/P

11LC020-E/P

આંશિક માલ: 125832

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC161-E/SN

11LC161-E/SN

આંશિક માલ: 125450

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC161-I/P

11LC161-I/P

આંશિક માલ: 129009

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC160-E/SN

11LC160-E/SN

આંશિક માલ: 133714

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC040T-E/MS

11LC040T-E/MS

આંશિક માલ: 124090

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC040-I/P

11LC040-I/P

આંશિક માલ: 168475

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA160-I/TO

11AA160-I/TO

આંશિક માલ: 124225

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA02UIDT-I/TT

11AA02UIDT-I/TT

આંશિક માલ: 103902

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA161-I/MS

11AA161-I/MS

આંશિક માલ: 164096

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC161-I/MS

11LC161-I/MS

આંશિક માલ: 183913

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC161T-I/MNY

11LC161T-I/MNY

આંશિક માલ: 110553

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA160T-I/MNY

11AA160T-I/MNY

આંશિક માલ: 140493

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC160T-I/MNY

11LC160T-I/MNY

આંશિક માલ: 190928

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC161T-E/TT

11LC161T-E/TT

આંશિક માલ: 193811

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC020T-E/MS

11LC020T-E/MS

આંશિક માલ: 174223

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC080T-E/SN

11LC080T-E/SN

આંશિક માલ: 135549

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC160-I/MS

11LC160-I/MS

આંશિક માલ: 158868

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA160T-I/MS

11AA160T-I/MS

આંશિક માલ: 119151

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC080-E/SN

11LC080-E/SN

આંશિક માલ: 165163

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC020T-E/MNY

11LC020T-E/MNY

આંશિક માલ: 193164

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC160T-I/MS

11LC160T-I/MS

આંશિક માલ: 164636

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC161T-I/MS

11LC161T-I/MS

આંશિક માલ: 191882

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11AA161T-I/MNY

11AA161T-I/MNY

આંશિક માલ: 118653

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC010-E/P

11LC010-E/P

આંશિક માલ: 141706

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
11LC160T-E/TT

11LC160T-E/TT

આંશિક માલ: 158302

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 100kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ