મેમરી

AS4C128M8D3L-12BANTR

AS4C128M8D3L-12BANTR

આંશિક માલ: 7405

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D3A-12BCNTR

AS4C128M8D3A-12BCNTR

આંશિક માલ: 20966

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D3A-12BINTR

AS4C128M8D3A-12BINTR

આંશિક માલ: 18154

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M16D3LA-12BINTR

AS4C128M16D3LA-12BINTR

આંશિક માલ: 14852

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D3A-12BANTR

AS4C128M8D3A-12BANTR

આંશિક માલ: 15145

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M16D3A-12BINTR

AS4C128M16D3A-12BINTR

આંશિક માલ: 14780

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M16D3A-12BCNTR

AS4C128M16D3A-12BCNTR

આંશિક માલ: 15884

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C256M16D3LA-12BIN

AS4C256M16D3LA-12BIN

આંશિક માલ: 7143

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 4Gb (256M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C512M8D3A-12BIN

AS4C512M8D3A-12BIN

આંશિક માલ: 7144

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 4Gb (512M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M16D3A-12BANTR

AS4C128M16D3A-12BANTR

આંશિક માલ: 12921

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C256M16D3A-12BIN

AS4C256M16D3A-12BIN

આંશિક માલ: 7075

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 4Gb (256M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C256M16D3LA-12BCN

AS4C256M16D3LA-12BCN

આંશિક માલ: 7524

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 4Gb (256M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C256M16D3A-12BAN

AS4C256M16D3A-12BAN

આંશિક માલ: 6044

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 4Gb (256M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M16D3LA-12BIN

AS4C128M16D3LA-12BIN

આંશિક માલ: 10356

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS6C3216-55BIN

AS6C3216-55BIN

આંશિક માલ: 4337

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 32Mb (2M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M16D3A-12BIN

AS4C128M16D3A-12BIN

આંશિક માલ: 10362

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M16D3A-12BCN

AS4C128M16D3A-12BCN

આંશિક માલ: 11501

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M16D3A-12BAN

AS4C128M16D3A-12BAN

આંશિક માલ: 9396

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D3LA-12BIN

AS4C64M16D3LA-12BIN

આંશિક માલ: 12807

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D3A-12BCN

AS4C64M16D3A-12BCN

આંશિક માલ: 15711

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D1A-6TINTR

AS4C64M16D1A-6TINTR

આંશિક માલ: 4341

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D1-6TCNTR

AS4C64M16D1-6TCNTR

આંશિક માલ: 4379

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS7C316098A-10BINTR

AS7C316098A-10BINTR

આંશિક માલ: 4704

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (1M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C316096C-10BINTR

AS7C316096C-10BINTR

આંશિક માલ: 4657

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C316096A-10TINTR

AS7C316096A-10TINTR

આંશિક માલ: 4691

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C316098A-10TINTR

AS7C316098A-10TINTR

આંશિક માલ: 4663

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (1M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C316096B-10BINTR

AS7C316096B-10BINTR

આંશિક માલ: 137

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C316098B-10TINTR

AS7C316098B-10TINTR

આંશિક માલ: 4731

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (1M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C316096B-10TINTR

AS7C316096B-10TINTR

આંશિક માલ: 4668

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS6C3216A-55TINTR

AS6C3216A-55TINTR

આંશિક માલ: 4665

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 32Mb (2M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS7C316096C-10TINTR

AS7C316096C-10TINTR

આંશિક માલ: 4682

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

આંશિક માલ: 4586

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 8Gb (1G x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz,

વિશસૂચિ
AS7C351232-10BINTR

AS7C351232-10BINTR

આંશિક માલ: 100

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (512K x 32), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS6C3216-55BINTR

AS6C3216-55BINTR

આંશિક માલ: 4863

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 32Mb (2M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS6C3216A-55BINTR

AS6C3216A-55BINTR

આંશિક માલ: 85

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM, મેમરી કદ: 32Mb (2M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS4C32M16SB-7TIN

AS4C32M16SB-7TIN

આંશિક માલ: 4922

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 512Mb (32M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 143MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 14ns,

વિશસૂચિ