મેમરી

AS4C512M16D3L-12BINTR

AS4C512M16D3L-12BINTR

આંશિક માલ: 3640

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 8Gb (512M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

આંશિક માલ: 2505

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR2, મેમરી કદ: 2Gb (64M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C32M32MD2-25BCNTR

AS4C32M32MD2-25BCNTR

આંશિક માલ: 2472

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR2, મેમરી કદ: 1Gb (32M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C512M32MD3-15BCNTR

AS4C512M32MD3-15BCNTR

આંશિક માલ: 2485

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR3, મેમરી કદ: 16Gb (512M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 667MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16MD2-25BCNTR

AS4C64M16MD2-25BCNTR

આંશિક માલ: 2432

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR2, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

આંશિક માલ: 2473

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile SDRAM, મેમરી કદ: 512Mb (16M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

આંશિક માલ: 2389

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile SDRAM, મેમરી કદ: 512Mb (16M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M32MD2-18BIN

AS4C128M32MD2-18BIN

આંશિક માલ: 2395

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR2, મેમરી કદ: 4Gb (128M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 533MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M32MD2-18BCNTR

AS4C128M32MD2-18BCNTR

આંશિક માલ: 2441

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR2, મેમરી કદ: 4Gb (128M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 533MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M16MD2-25BCNTR

AS4C128M16MD2-25BCNTR

આંશિક માલ: 2399

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR2, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D1A-6TCN

AS4C64M16D1A-6TCN

આંશિક માલ: 3744

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS6C6416-55BINTR

AS6C6416-55BINTR

આંશિક માલ: 61

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 64Mb (4M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D1-6TINTR

AS4C64M16D1-6TINTR

આંશિક માલ: 3829

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS6C6416-55TINTR

AS6C6416-55TINTR

આંશિક માલ: 117

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 64Mb (4M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS7C325632-10BIN

AS7C325632-10BIN

આંશિક માલ: 1601

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 8Mb (1M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS4C512M16D3L-12BCNTR

AS4C512M16D3L-12BCNTR

આંશિક માલ: 3986

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 8Gb (512M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

આંશિક માલ: 4193

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 512Mb (32M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 143MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 2ns,

વિશસૂચિ
AS7C351232-10BIN

AS7C351232-10BIN

આંશિક માલ: 112

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (512K x 32), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C316098B-10TIN

AS7C316098B-10TIN

આંશિક માલ: 4269

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (1M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C316096C-10TIN

AS7C316096C-10TIN

આંશિક માલ: 4225

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C316096B-10TIN

AS7C316096B-10TIN

આંશિક માલ: 4216

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS6C3216A-55BIN

AS6C3216A-55BIN

આંશિક માલ: 96

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM, મેમરી કદ: 32Mb (2M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16MD2-25BCN

AS4C64M16MD2-25BCN

આંશિક માલ: 12110

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR2, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

આંશિક માલ: 12165

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile SDRAM, મેમરી કદ: 512Mb (16M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 133MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C32M16MS-7BCN

AS4C32M16MS-7BCN

આંશિક માલ: 12176

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile SDRAM, મેમરી કદ: 512Mb (32M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 133MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C32M32MD2-25BCN

AS4C32M32MD2-25BCN

આંશિક માલ: 12151

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR2, મેમરી કદ: 1Gb (32M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M32MD2-18BCN

AS4C128M32MD2-18BCN

આંશિક માલ: 6575

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR2, મેમરી કદ: 4Gb (128M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 533MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M16MD2-25BCN

AS4C128M16MD2-25BCN

આંશિક માલ: 10987

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR2, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D2-25BANTR

AS4C64M16D2-25BANTR

આંશિક માલ: 16222

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR2, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D3A-12BANTR

AS4C64M16D3A-12BANTR

આંશિક માલ: 14811

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D3A-12BAN

AS4C64M16D3A-12BAN

આંશિક માલ: 10408

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

આંશિક માલ: 4299

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 512Mb (32M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 143MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 2ns,

વિશસૂચિ
AS7C316096C-10BIN

AS7C316096C-10BIN

આંશિક માલ: 4379

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D3LA-12BAN

AS4C64M16D3LA-12BAN

આંશિક માલ: 14927

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C512M8D3LA-12BIN

AS4C512M8D3LA-12BIN

આંશિક માલ: 7163

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 4Gb (512M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D3L-12BAN

AS4C64M16D3L-12BAN

આંશિક માલ: 7933

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ