Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

  • ઘર
  •  
  • ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ
S400KR
GeneSiC Semiconductor

S400KR

આંશિક માલ: 2009

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 400A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 400A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SD4145
GeneSiC Semiconductor

SD4145

આંશિક માલ: 6509

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 30A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 680mV @ 30A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FR12M05
GeneSiC Semiconductor

FR12M05

આંશિક માલ: 9525

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ
S85YR
GeneSiC Semiconductor

S85YR

આંશિક માલ: 7151

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 85A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GB02SLT12-214
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

આંશિક માલ: 28962

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 1A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

વિશસૂચિ
GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

આંશિક માલ: 37909

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2V @ 1A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

વિશસૂચિ
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

આંશિક માલ: 1555

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.6V @ 1A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

વિશસૂચિ
S40Q
GeneSiC Semiconductor

S40Q

આંશિક માલ: 7175

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 40A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FR85JR02
GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

આંશિક માલ: 5989

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 85A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 250ns,

વિશસૂચિ
FR70G02
GeneSiC Semiconductor

FR70G02

આંશિક માલ: 9642

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 70A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ
GB20SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

આંશિક માલ: 2856

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2V @ 20A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

વિશસૂચિ
S300YR
GeneSiC Semiconductor

S300YR

આંશિક માલ: 1824

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 300A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
S40B
GeneSiC Semiconductor

S40B

આંશિક માલ: 11196

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 40A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

આંશિક માલ: 17999

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 2A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

વિશસૂચિ
MBR8045R
GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

આંશિક માલ: 4212

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 80A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 80A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FR30J02
GeneSiC Semiconductor

FR30J02

આંશિક માલ: 7131

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 30A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 30A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ
MBRH20045
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

આંશિક માલ: 2177

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
S85VR
GeneSiC Semiconductor

S85VR

આંશિક માલ: 7084

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 85A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

આંશિક માલ: 4392

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 35A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 35A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FR85JR05
GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

આંશિક માલ: 5997

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 85A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ
S85Q
GeneSiC Semiconductor

S85Q

આંશિક માલ: 7124

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 85A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
S40KR
GeneSiC Semiconductor

S40KR

આંશિક માલ: 8348

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 40A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FR40G02
GeneSiC Semiconductor

FR40G02

આંશિક માલ: 7130

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 40A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ
MBRH12040R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

આંશિક માલ: 2457

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

આંશિક માલ: 1505

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 300V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.6V @ 1A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

વિશસૂચિ
MBRH20045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

આંશિક માલ: 2179

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GB50SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

આંશિક માલ: 771

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 50A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 50A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

વિશસૂચિ
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

આંશિક માલ: 7134

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 40A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

આંશિક માલ: 7177

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

આંશિક માલ: 1373

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.6V @ 1A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

વિશસૂચિ
FR70GR02
GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

આંશિક માલ: 7175

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 70A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ
FR30G02
GeneSiC Semiconductor

FR30G02

આંશિક માલ: 7099

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 30A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 30A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ
S85JR
GeneSiC Semiconductor

S85JR

આંશિક માલ: 7155

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 85A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
MBR3545
GeneSiC Semiconductor

MBR3545

આંશિક માલ: 4428

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 35A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 680mV @ 35A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
S300Y
GeneSiC Semiconductor

S300Y

આંશિક માલ: 1833

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 300A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
S85J
GeneSiC Semiconductor

S85J

આંશિક માલ: 7670

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 85A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ