ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 21

S25G

આંશિક માલ: 13168

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 25A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 25A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR60100R

આંશિક માલ: 5437

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 60A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 60A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR16K05

આંશિક માલ: 14588

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 16A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR6060

આંશિક માલ: 5361

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 60A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 60A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRH12080

આંશિક માલ: 2881

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S16GR

આંશિક માલ: 20582

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 16A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S380YR

આંશિક માલ: 2044

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 380A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 380A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR85KR05

આંશિક માલ: 7829

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 85A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR85G05

આંશિક માલ: 7759

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 85A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURH10060R

આંશિક માલ: 3570

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 100A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 110ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S70VR

આંશિક માલ: 9670

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 70A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S70DR

આંશિક માલ: 9579

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 70A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S40VR

આંશિક માલ: 9940

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 40A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURH7060

આંશિક માલ: 45

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 70A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 110ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRH20080

આંશિક માલ: 2594

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MUR7010R

આંશિક માલ: 7638

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 70A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 75ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR12B05

આંશિક માલ: 15974

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MUR2520R

આંશિક માલ: 9639

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 25A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 25A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 75ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRH240150R

આંશિક માલ: 120

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 240A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 240A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S40J

આંશિક માલ: 12402

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 40A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRH240100

આંશિક માલ: 46

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 240A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 240A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S300ZR

આંશિક માલ: 2019

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 2000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 300A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S70K

આંશિક માલ: 9606

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 70A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR8035

આંશિક માલ: 5422

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 80A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 80A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR85D02

આંશિક માલ: 7938

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 85A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S12QR

આંશિક માલ: 12920

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 12A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S16G

આંશિક માલ: 15895

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 16A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR12DR02

આંશિક માલ: 16885

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR85J05

આંશિક માલ: 7746

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 85A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR30A02

આંશિક માલ: 9637

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 30A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 30A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

GKR240/18

આંશિક માલ: 2375

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 165A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 60A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRH12080R

આંશિક માલ: 2834

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURH7020R

આંશિક માલ: 1734

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 70A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 75ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR6K05

આંશિક માલ: 12915

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRH24020

આંશિક માલ: 50

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 240A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 720mV @ 240A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S6MR

આંશિક માલ: 13500

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 6A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ