ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 21

S150K

આંશિક માલ: 2564

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR20AR02

આંશિક માલ: 9620

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR30DR02

આંશિક માલ: 9627

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 30A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 30A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRH200100

આંશિક માલ: 2467

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR6045R

આંશિક માલ: 5434

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 60A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 60A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR3535R

આંશિક માલ: 5679

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 35A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 680mV @ 35A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR6GR05

આંશિક માલ: 12926

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR70G05

આંશિક માલ: 9604

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 70A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR80100

આંશિક માલ: 5369

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 80A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 80A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S85MR

આંશિક માલ: 9626

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 85A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR85MR05

આંશિક માલ: 7799

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 85A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR70K05

આંશિક માલ: 9632

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 70A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S320Q

આંશિક માલ: 1995

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 320A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 300A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR40M05

આંશિક માલ: 9615

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 40A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR85M05

આંશિક માલ: 7810

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 85A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR70J05

આંશિક માલ: 9613

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 70A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S85Y

આંશિક માલ: 9667

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 85A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR40D05

આંશિક માલ: 9644

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 40A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S85DR

આંશિક માલ: 9636

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 85A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR40JR05

આંશિક માલ: 9591

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 40A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MUR2505

આંશિક માલ: 9610

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 25A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 25A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 75ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR12GR02

આંશિક માલ: 12965

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S70D

આંશિક માલ: 9582

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 70A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

GKN71/08

આંશિક માલ: 12924

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 95A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 60A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S25JR

આંશિક માલ: 12952

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 25A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 25A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S85KR

આંશિક માલ: 9647

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 85A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S300ER

આંશિક માલ: 2012

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 300V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 300A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR16B05

આંશિક માલ: 12934

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 16A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S320J

આંશિક માલ: 2029

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 320A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 300A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRH12060

આંશિક માલ: 2900

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR6035R

આંશિક માલ: 5388

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 60A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 60A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR85D05

આંશિક માલ: 7976

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 85A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 85A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

GKN71/12

આંશિક માલ: 12893

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 95A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 60A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

GKR130/16

આંશિક માલ: 3048

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 165A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 60A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

S300G

આંશિક માલ: 2005

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 300A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FR20J02

આંશિક માલ: 9666

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 250ns,

વિશસૂચિ