ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

ઘર
ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

GeneSiC Semiconductor

1N8026-GA

આંશિક માલ: 413

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.6V @ 2.5A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N1183A

આંશિક માલ: 9667

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 40A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N3209R

આંશિક માલ: 13664

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 15A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N3294AR

આંશિક માલ: 3460

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 100A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N1188A

આંશિક માલ: 9645

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 40A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N4596R

આંશિક માલ: 3424

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N4590

આંશિક માલ: 3411

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N5834

આંશિક માલ: 5569

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 590mV @ 40A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N6097R

આંશિક માલ: 5569

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 50A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 50A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N3211

આંશિક માલ: 13543

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 300V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 15A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N4592

આંશિક માલ: 3455

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N2128AR

આંશિક માલ: 11438

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 60A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 60A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

150KR80A

આંશિક માલ: 3417

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N5831R

આંશિક માલ: 5568

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 25A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 25A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

150K80A

આંશિક માલ: 3418

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N3295AR

આંશિક માલ: 3433

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 100A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N3882

આંશિક માલ: 13603

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 300V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N5829R

આંશિક માલ: 5592

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 25A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 25A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N5831

આંશિક માલ: 5574

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 25A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 25A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N1206A

આંશિક માલ: 15000

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 12A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

150K40A

આંશિક માલ: 3458

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

150KR100A

આંશિક માલ: 3439

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N2135AR

આંશિક માલ: 9650

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 60A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 60A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N3293AR

આંશિક માલ: 3442

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 100A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N6096

આંશિક માલ: 5594

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 25A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 25A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N5828R

આંશિક માલ: 5618

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 500mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N1204AR

આંશિક માલ: 29070

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 12A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N3893

આંશિક માલ: 12917

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N2137AR

આંશિક માલ: 9629

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 60A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 60A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N1188

આંશિક માલ: 9467

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 35A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 35A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N1199A

આંશિક માલ: 24991

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 12A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N1204A

આંશિક માલ: 21792

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 12A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N3214R

આંશિક માલ: 13835

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 15A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N3890R

આંશિક માલ: 13730

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N4594

આંશિક માલ: 3451

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

1N4596

આંશિક માલ: 3402

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

745

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»