થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 94

NYC0102BLT1G

આંશિક માલ: 178628

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 200V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 250mA,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

S8040R

આંશિક માલ: 41330

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 40mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 25A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 40A,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

X00619MN5AL2

આંશિક માલ: 102309

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.35V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 500mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 800mA,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

X0202NA 1BA2

આંશિક માલ: 93973

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.45V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 800mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.25A,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

TYN810RG

આંશિક માલ: 49238

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 6.4A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 10A,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

CLA30E1200PB

આંશિક માલ: 30386

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.59V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 30A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 47A,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

CLA5E1200UC

આંશિક માલ: 138468

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 5A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 7.8A,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

CS19-08HO1S-TUB

આંશિક માલ: 7592

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 28mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.32V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 20A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 31A,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

CS19-12HO1C

આંશિક માલ: 17629

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 25mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.65V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 13A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 35A,

વિશસૂચિ માટે

Renesas Electronics America

CR12CM-12B#BB0

આંશિક માલ: 37005

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 12A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 18.8A,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

MCR12LM

આંશિક માલ: 7600

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 8mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.2V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 7.6A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 12A,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

MCR100-6ZL1G

આંશિક માલ: 7552

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 800mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

JANTX2N2325U4

આંશિક માલ: 7589

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 150V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.2V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1.6A,

વિશસૂચિ માટે

Central Semiconductor Corp

CS218I-30P

આંશિક માલ: 7612

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.1V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 30A,

વિશસૂચિ માટે

Powerex Inc.

TDS4244002DH

આંશિક માલ: 7523

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 300mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.38V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 4700A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 7383A,

વિશસૂચિ માટે