થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર

EC103D275

આંશિક માલ: 7579

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 50µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 510mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 800mA,

વિશસૂચિ માટે

TCR22-4

આંશિક માલ: 4835

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 200V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 950mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.5A,

વિશસૂચિ માટે

S602TSRP

આંશિક માલ: 176377

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 950mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.5A,

વિશસૂચિ માટે

S2004VS2

આંશિક માલ: 7577

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 200V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 2.5A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 4A,

વિશસૂચિ માટે

S6004DS2RP

આંશિક માલ: 138746

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 2.5A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 4A,

વિશસૂચિ માટે

S6S2RP

આંશિક માલ: 156611

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 50µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 510mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 800mA,

વિશસૂચિ માટે

MCR08MT1G

આંશિક માલ: 192262

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 800mA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

MCR8DSMT4G

આંશિક માલ: 103276

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 5.1A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 8A,

વિશસૂચિ માટે

VS-16TTS08STRRPBF

આંશિક માલ: 44106

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 10A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRRPBF

આંશિક માલ: 40892

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 6.5A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 10A,

વિશસૂચિ માટે

Powerex Inc.

T72H1642K4DN

આંશિક માલ: 7528

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.2V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 420A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 650A,

વિશસૂચિ માટે

Powerex Inc.

T7SH084064DN

આંશિક માલ: 7560

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 3.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 400A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 628A,

વિશસૂચિ માટે

Powerex Inc.

T7SH104084DN

આંશિક માલ: 7551

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 3.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 400A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 628A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

JANTX2N2329AU4

આંશિક માલ: 7615

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 600mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 20µA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

JAN2N2323

આંશિક માલ: 7544

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 50V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 220mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

JAN2N2324S

આંશિક માલ: 7610

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 100V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA,

વિશસૂચિ માટે

P0111MN 5AA4

આંશિક માલ: 190705

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 25µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.95V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 500mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 800mA,

વિશસૂચિ માટે

TS110-8A2

આંશિક માલ: 112703

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 800mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.25A,

વિશસૂચિ માટે

TS820-600B-TR

આંશિક માલ: 166053

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 5A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 8A,

વિશસૂચિ માટે

X0203NN 5AA4

આંશિક માલ: 7555

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.45V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 800mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.25A,

વિશસૂચિ માટે

X0203MA 5BL2

આંશિક માલ: 7609

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.45V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 800mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.25A,

વિશસૂચિ માટે

X0202MA 1BA2

આંશિક માલ: 128477

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.45V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 800mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.25A,

વિશસૂચિ માટે

TN22-1500B-TR

આંશિક માલ: 7588

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 1.5mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 3.1V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1.8A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2A,

વિશસૂચિ માટે

X0202DA 5BL2

આંશિક માલ: 7598

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.45V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 800mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.25A,

વિશસૂચિ માટે

X0202MN 5BA4

આંશિક માલ: 143357

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.45V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 800mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.25A,

વિશસૂચિ માટે

X0402MF 0AA2

આંશિક માલ: 104680

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 900mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.35A,

વિશસૂચિ માટે

CS218-55B

આંશિક માલ: 7619

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 200V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 80mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 55A,

વિશસૂચિ માટે

CS220-16D

આંશિક માલ: 7582

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ માટે

CS220-25PB

આંશિક માલ: 7602

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ માટે

CS218I-50N

આંશિક માલ: 7578

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 80mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.9V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 50A,

વિશસૂચિ માટે