ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

BD244A

આંશિક માલ: 189127

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 6A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1A, 6A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 700µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 3A, 4V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BDX53BG

આંશિક માલ: 183172

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 8A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2V @ 12mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 3A, 3V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD135G

આંશિક માલ: 128554

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 150mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BU406G

આંશિક માલ: 65392

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 7A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 200V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 500mA, 5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 5mA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BDX54BG

આંશિક માલ: 81401

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 8A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2V @ 12mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 3A, 3V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD681S

આંશિક માલ: 107750

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.5V @ 30mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 1.5A, 3V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD13910S

આંશિક માલ: 149489

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 63 @ 150mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BDX33BG

આંશિક માલ: 81448

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.5V @ 6mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 3A, 3V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD809G

આંશિક માલ: 74770

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.1V @ 300mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1mA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 4A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BDW46G

આંશિક માલ: 77908

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 15A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 3V @ 50mA, 10A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 2mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 5A, 4V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD242BG

આંશિક માલ: 116726

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.2V @ 600mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 300µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 25 @ 1A, 4V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BUT11AFTU

આંશિક માલ: 77085

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 450V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 500mA, 2.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1mA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD679AG

આંશિક માલ: 106187

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.8V @ 40mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 2A, 3V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD788G

આંશિક માલ: 159272

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.5V @ 800mA, 4A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 200mA, 3V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD676AG

આંશિક માલ: 122105

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.8V @ 40mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 2A, 3V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BU323ZG

આંશિક માલ: 26349

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 350V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.7V @ 250mA, 10A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 500 @ 5A, 4.6V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD437TG

આંશિક માલ: 103977

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 800mV @ 300mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 85 @ 500mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD139G

આંશિક માલ: 130827

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 150mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD678AG

આંશિક માલ: 106804

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.8V @ 40mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 2A, 3V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

BD135TG

આંશિક માલ: 148462

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 150mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BD680A

આંશિક માલ: 77092

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.8V @ 40mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 2A, 3V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BU508AF

આંશિક માલ: 34795

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 8A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 700V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 1.6A, 4.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 200µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 10 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BUL510

આંશિક માલ: 31372

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 450V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1.25A, 5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 250µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 1A, 5V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BULT106D

આંશિક માલ: 55962

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 230V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.2V @ 400mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 250µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 10 @ 1A, 5V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BUL89

આંશિક માલ: 45219

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 12A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 400V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 5V @ 2.4A, 12A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 10 @ 5A, 5V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BU941ZPFI

આંશિક માલ: 18084

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 15A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 350V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2V @ 300mA, 12A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 5A, 10V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BU508AW

આંશિક માલ: 26229

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 8A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 700V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 1.6A, 4.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 200µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 10 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BUL381D

આંશિક માલ: 38825

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 400V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.1V @ 750mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 250µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 8 @ 2A, 5V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BUL1102EFP

આંશિક માલ: 63193

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 450V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 400mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 12 @ 2A, 5V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BD679

આંશિક માલ: 4293

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.5V @ 30mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 1.5A, 3V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

BUL741

આંશિક માલ: 71832

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 400V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 600mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 250µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 25 @ 450mA, 3V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

BC847AT-7

આંશિક માલ: 147927

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 5mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 15nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 110 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

BCP5516TA

આંશિક માલ: 157431

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

BCX5110TA

આંશિક માલ: 175234

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 63 @ 150mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

BST50,115

આંશિક માલ: 110984

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.3V @ 500µA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 500mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Central Semiconductor Corp

BU806

આંશિક માલ: 64952

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 8A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 400V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA,

વિશસૂચિ માટે