Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એકલ

BCX70K
ON Semiconductor

BCX70K

આંશિક માલ: 151915

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 550mV @ 1.25mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 20nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 380 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
BD138G
ON Semiconductor

BD138G

આંશિક માલ: 120144

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 150mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
BD675AS
ON Semiconductor

BD675AS

આંશિક માલ: 120104

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.8V @ 40mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 2A, 3V,

વિશસૂચિ માટે
BD239ATU
ON Semiconductor

BD239ATU

આંશિક માલ: 113926

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 700mV @ 200mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 300µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 1A, 4V,

વિશસૂચિ માટે
BDV64BG
ON Semiconductor

BDV64BG

આંશિક માલ: 40993

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2V @ 20mA, 5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 5A, 4V,

વિશસૂચિ માટે
BD244CTU
ON Semiconductor

BD244CTU

આંશિક માલ: 194160

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 6A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1A, 6A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 700µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 3A, 4V,

વિશસૂચિ માટે
BD438STU
ON Semiconductor

BD438STU

આંશિક માલ: 110953

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
BUV21G
ON Semiconductor

BUV21G

આંશિક માલ: 7135

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 40A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 200V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 3A, 25A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 3mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 12A, 2V,

વિશસૂચિ માટે
BUV22G
ON Semiconductor

BUV22G

આંશિક માલ: 6634

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 40A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 250V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 2.5A, 20A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 3mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 10A, 4V,

વિશસૂચિ માટે
BD680ASTU
ON Semiconductor

BD680ASTU

આંશિક માલ: 109313

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.8V @ 40mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 2A, 3V,

વિશસૂચિ માટે
BUB323ZG
ON Semiconductor

BUB323ZG

આંશિક માલ: 45503

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 350V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.7V @ 250mA, 10A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 500 @ 5A, 4.6V,

વિશસૂચિ માટે
BD241CG
ON Semiconductor

BD241CG

આંશિક માલ: 147452

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.2V @ 600mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 300µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 25 @ 1A, 4V,

વિશસૂચિ માટે
BD439S
ON Semiconductor

BD439S

આંશિક માલ: 111006

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 800mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
BDV65BG
ON Semiconductor

BDV65BG

આંશિક માલ: 41181

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2V @ 20mA, 5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 5A, 4V,

વિશસૂચિ માટે
BD679G
ON Semiconductor

BD679G

આંશિક માલ: 114507

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.5V @ 30mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 1.5A, 3V,

વિશસૂચિ માટે
BDW93CTU
ON Semiconductor

BDW93CTU

આંશિક માલ: 150953

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 12A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 3V @ 100mA, 10A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 5A, 3V,

વિશસૂચિ માટે
BD238STU
ON Semiconductor

BD238STU

આંશિક માલ: 135665

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 100mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 25 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ માટે
BD140G
ON Semiconductor

BD140G

આંશિક માલ: 128515

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 150mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
BD437S
ON Semiconductor

BD437S

આંશિક માલ: 116323

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
BDX54CG
ON Semiconductor

BDX54CG

આંશિક માલ: 75542

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 8A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2V @ 12mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 3A, 3V,

વિશસૂચિ માટે
BD13616S
ON Semiconductor

BD13616S

આંશિક માલ: 149453

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
BD241CTU
ON Semiconductor

BD241CTU

આંશિક માલ: 109334

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.2V @ 600mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 300µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 25 @ 1A, 4V,

વિશસૂચિ માટે
BD810G
ON Semiconductor

BD810G

આંશિક માલ: 156462

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.1V @ 300mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1mA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 4A, 2V,

વિશસૂચિ માટે
BD244BG
ON Semiconductor

BD244BG

આંશિક માલ: 162870

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 6A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1A, 6A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 700µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 3A, 4V,

વિશસૂચિ માટે
BDX33CG
ON Semiconductor

BDX33CG

આંશિક માલ: 75516

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.5V @ 6mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 3A, 3V,

વિશસૂચિ માટે
BUL45D2G
ON Semiconductor

BUL45D2G

આંશિક માલ: 65990

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 400V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 400mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 10 @ 2A, 1V,

વિશસૂચિ માટે
BD678A
STMicroelectronics

BD678A

આંશિક માલ: 86151

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.8V @ 40mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 2A, 3V,

વિશસૂચિ માટે
BUF420AW
STMicroelectronics

BUF420AW

આંશિક માલ: 7129

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 450V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 4A, 20A,

વિશસૂચિ માટે
BD681
STMicroelectronics

BD681

આંશિક માલ: 1831

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.5V @ 30mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 1.5A, 3V,

વિશસૂચિ માટે
BUL1102E
STMicroelectronics

BUL1102E

આંશિક માલ: 68468

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 450V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 400mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 12 @ 2A, 5V,

વિશસૂચિ માટે
BUL138
STMicroelectronics

BUL138

આંશિક માલ: 50192

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 400V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 700mV @ 1A, 5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 250µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 8 @ 2A, 5V,

વિશસૂચિ માટે
BUL416T
STMicroelectronics

BUL416T

આંશિક માલ: 25436

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 6A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 800V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1.33A, 4A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 250µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 18 @ 700mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
BD679A
STMicroelectronics

BD679A

આંશિક માલ: 99018

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.8V @ 40mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 750 @ 2A, 3V,

વિશસૂચિ માટે
BUL7216
STMicroelectronics

BUL7216

આંશિક માલ: 54275

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 700V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 3V @ 80mA, 800mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 4 @ 2A, 5V,

વિશસૂચિ માટે
BCW71,215
Nexperia USA Inc.

BCW71,215

આંશિક માલ: 170816

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 210mV @ 2.5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 110 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
BD241D-S
Bourns Inc.

BD241D-S

આંશિક માલ: 7318

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.5V @ 750MA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 300µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 25 @ 1A, 4V,

વિશસૂચિ માટે