આઇસોલેટર - ગેટ ડ્રાઇવરો

SI8284BC-IS

SI8284BC-IS

આંશિક માલ: 1480

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 50ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82398BD4-IS

SI82398BD4-IS

આંશિક માલ: 24911

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 135ns, 95ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82391AB-IS1

SI82391AB-IS1

આંશિક માલ: 30527

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82398CD4-IS

SI82398CD4-IS

આંશિક માલ: 24867

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 135ns, 95ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82391BB-IS1

SI82391BB-IS1

આંશિક માલ: 30560

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8273DB-IS1

SI8273DB-IS1

આંશિક માલ: 30553

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 150kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 8ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82390CB-IS1

SI82390CB-IS1

આંશિક માલ: 24004

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8273ABD-IS1

SI8273ABD-IS1

આંશિક માલ: 30571

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 200kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 75ns, 75ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 8ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8283CC-IS

SI8283CC-IS

આંશિક માલ: 1539

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 50ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8285BC-IS

SI8285BC-IS

આંશિક માલ: 1512

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 50ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82396AB-IS1

SI82396AB-IS1

આંશિક માલ: 30526

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8234AB-D-IS

SI8234AB-D-IS

આંશિક માલ: 31624

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8274GB4D-IS1

SI8274GB4D-IS1

આંશિક માલ: 30516

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 200kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 105ns, 75ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 47ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8234AD-D-IS

SI8234AD-D-IS

આંશિક માલ: 24881

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82395BD-IS

SI82395BD-IS

આંશિક માલ: 24834

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8233AD-D-IS

SI8233AD-D-IS

આંશિક માલ: 23932

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8274AB4D-IS1

SI8274AB4D-IS1

આંશિક માલ: 30607

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 200kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 105ns, 75ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 47ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8273DBD-IS1

SI8273DBD-IS1

આંશિક માલ: 30580

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 200kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 75ns, 75ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 8ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8238AB-D-IS1

SI8238AB-D-IS1

આંશિક માલ: 30534

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8261ABC-C-IPR

SI8261ABC-C-IPR

આંશિક માલ: 51111

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 3750Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 28ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8230BB-D-IS

SI8230BB-D-IS

આંશિક માલ: 42920

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8235BD-D-IS

SI8235BD-D-IS

આંશિક માલ: 23994

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8261BCC-C-IPR

SI8261BCC-C-IPR

આંશિક માલ: 46308

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 3750Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 28ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8233AB-D-IS1

SI8233AB-D-IS1

આંશિક માલ: 30514

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8238BD-D-IS3

SI8238BD-D-IS3

આંશિક માલ: 2919

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 45kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8273AB-IS1

SI8273AB-IS1

આંશિક માલ: 30562

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 150kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 8ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8237BD-D-IS

SI8237BD-D-IS

આંશિક માલ: 33738

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8237AD-D-IS

SI8237AD-D-IS

આંશિક માલ: 33730

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8261BAD-C-ISR

SI8261BAD-C-ISR

આંશિક માલ: 44449

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 28ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8261BAD-C-IS

SI8261BAD-C-IS

આંશિક માલ: 37562

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 28ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8261AAC-C-IS

SI8261AAC-C-IS

આંશિક માલ: 55100

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 3750Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 28ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8261BAC-C-IP

SI8261BAC-C-IP

આંશિક માલ: 42881

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 3750Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 28ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8235BB-D-IS

SI8235BB-D-IS

આંશિક માલ: 31660

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8238AD-D-IS

SI8238AD-D-IS

આંશિક માલ: 23949

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8261BBD-C-IS

SI8261BBD-C-IS

આંશિક માલ: 37559

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 28ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8233BB-D-ISR

SI8233BB-D-ISR

આંશિક માલ: 38152

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે