આઇસોલેટર - ગેટ ડ્રાઇવરો

SI8274AB1-IS1R

SI8274AB1-IS1R

આંશિક માલ: 33612

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 150kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 75ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 19ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8273BBD-IS1R

SI8273BBD-IS1R

આંશિક માલ: 33633

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 150kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 8ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8230AD-D-ISR

SI8230AD-D-ISR

આંશિક માલ: 39278

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82396CB-IS1R

SI82396CB-IS1R

આંશિક માલ: 36248

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8232DB-D-ISR

SI8232DB-D-ISR

આંશિક માલ: 51849

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8261BBD-C-ISR

SI8261BBD-C-ISR

આંશિક માલ: 44454

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 28ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8274GB1-IS1R

SI8274GB1-IS1R

આંશિક માલ: 33601

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 150kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 75ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 19ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8230BB-D-IS1R

SI8230BB-D-IS1R

આંશિક માલ: 49564

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8234AB-D-IM1R

SI8234AB-D-IM1R

આંશિક માલ: 45

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 45kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8235BB-D-ISR

SI8235BB-D-ISR

આંશિક માલ: 38172

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8261BAA-C-ISR

SI8261BAA-C-ISR

આંશિક માલ: 66310

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 10ns (Typ),

વિશસૂચિ માટે
SI8231AB-D-IS1

SI8231AB-D-IS1

આંશિક માલ: 42417

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8233BD-D-IS3R

SI8233BD-D-IS3R

આંશિક માલ: 104

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 45kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8221DC-D-ISR

SI8221DC-D-ISR

આંશિક માલ: 49890

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 3750Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 30kV/µs (Typ), પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 40ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8235AB-D-IMR

SI8235AB-D-IMR

આંશિક માલ: 35639

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8285CC-ISR

SI8285CC-ISR

આંશિક માલ: 72

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 50ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82391AB-IS1R

SI82391AB-IS1R

આંશિક માલ: 36165

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8235AB-D-ISR

SI8235AB-D-ISR

આંશિક માલ: 38144

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8234BB-D-IM1R

SI8234BB-D-IM1R

આંશિક માલ: 123

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 45kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82390BD-ISR

SI82390BD-ISR

આંશિક માલ: 27347

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82391AD-ISR

SI82391AD-ISR

આંશિક માલ: 27345

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8231AB-D-IS1R

SI8231AB-D-IS1R

આંશિક માલ: 49522

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82394AD4-ISR

SI82394AD4-ISR

આંશિક માલ: 27349

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 135ns, 95ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8274DB1-IS1

SI8274DB1-IS1

આંશિક માલ: 30526

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 150kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 75ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 19ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8275GBD-IS1R

SI8275GBD-IS1R

આંશિક માલ: 33631

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 200kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 75ns, 75ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 8ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8275ABD-IM1R

SI8275ABD-IM1R

આંશિક માલ: 125

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 200kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 75ns, 75ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 8ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82394BB4-IS1R

SI82394BB4-IS1R

આંશિક માલ: 36225

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 135ns, 95ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82398AD-ISR

SI82398AD-ISR

આંશિક માલ: 27387

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8234BD-D-ISR

SI8234BD-D-ISR

આંશિક માલ: 29024

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8220DB-D-ISR

SI8220DB-D-ISR

આંશિક માલ: 56410

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 30kV/µs (Typ), પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 40ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8232BB-D-IS1R

SI8232BB-D-IS1R

આંશિક માલ: 49503

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82397BD-ISR

SI82397BD-ISR

આંશિક માલ: 27373

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8261ACC-C-IPR

SI8261ACC-C-IPR

આંશિક માલ: 51088

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 3750Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 50ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 28ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8235BB-D-IS1R

SI8235BB-D-IS1R

આંશિક માલ: 36825

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 20kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI82390AD-ISR

SI82390AD-ISR

આંશિક માલ: 27427

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - અલગતા: 5000Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 35kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 40ns, 40ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 5.6ns,

વિશસૂચિ માટે
SI8271GB-ISR

SI8271GB-ISR

આંશિક માલ: 47345

ટેકનોલોજી: Capacitive Coupling, ચેનલોની સંખ્યા: 1, વોલ્ટેજ - અલગતા: 2500Vrms, સામાન્ય સ્થિતિ ક્ષણિક પ્રતિરક્ષા (મિન): 150kV/µs, પ્રચાર વિલંબ tpLH / tpHL (મેક્સ): 60ns, 60ns, પલ્સ પહોળાઈ વિકૃતિ (મહત્તમ): 8ns,

વિશસૂચિ માટે