આરએફઆઈડી ટ્રાન્સપોન્ડર્સ, ટ Tagsગ્સ

LRI64-A1S/1GE

LRI64-A1S/1GE

આંશિક માલ: 680

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 120b (User), ધોરણો: ISO 15693, ISO 18000-3,

વિશસૂચિ માટે
RI-TRP-RE2B-01

RI-TRP-RE2B-01

આંશિક માલ: 739

પ્રકાર: Glass Encapsulated, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read Only, ધોરણો: ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
RI-TRP-DR2B-30

RI-TRP-DR2B-30

આંશિક માલ: 765

પ્રકાર: Glass Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1.36kb (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
TRPWS21GTEA

TRPWS21GTEA

આંશિક માલ: 11904

આવર્તન: 134.2kHz,

વિશસૂચિ માટે
RI-I02-112B-03

RI-I02-112B-03

આંશિક માલ: 677

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 2kb (User), ધોરણો: ISO 15693, ISO 18000-3,

વિશસૂચિ માટે
RI-INL-W007-40

RI-INL-W007-40

આંશિક માલ: 38764

આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read Only, ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
RI-TRP-RE2B-30

RI-TRP-RE2B-30

આંશિક માલ: 769

પ્રકાર: Glass Encapsulated, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read Only, ધોરણો: ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
RI-TRP-IR2B-30

RI-TRP-IR2B-30

આંશિક માલ: 694

પ્રકાર: Glass Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1.36kb (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
RI-I11-114A-01

RI-I11-114A-01

આંશિક માલ: 677

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 256b (User), ધોરણો: ISO 15693, ISO 18000-3,

વિશસૂચિ માટે
RI-I02-114B-01

RI-I02-114B-01

આંશિક માલ: 157

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 256b (User), ધોરણો: ISO 15693, ISO 18000-3,

વિશસૂચિ માટે
RI-TRP-R9VS-30

RI-TRP-R9VS-30

આંશિક માલ: 738

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read Only,

વિશસૂચિ માટે
RI-TRP-W9UR

RI-TRP-W9UR

આંશિક માલ: 135

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 80b (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
RI-I16-0003-00

RI-I16-0003-00

આંશિક માલ: 778

વિશસૂચિ માટે
RI-INL-R9QM-30

RI-INL-R9QM-30

આંશિક માલ: 753

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read Only, ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
RF-HDT-DVBB-N2

RF-HDT-DVBB-N2

આંશિક માલ: 27781

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 2kb (User), ધોરણો: ISO 15693, ISO 18000-3,

વિશસૂચિ માટે
HTMS1101FTB/AF,115

HTMS1101FTB/AF,115

આંશિક માલ: 91

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 100kHz ~ 150kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1.76kb (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
SL3S1013FTB0,115

SL3S1013FTB0,115

આંશિક માલ: 168381

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 840MHz ~ 960MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 256b (EPC), ધોરણો: EPC,

વિશસૂચિ માટે
SL2ICS2001DW/V1D,3

SL2ICS2001DW/V1D,3

આંશિક માલ: 150709

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1kB (User), ધોરણો: ISO 15693,

વિશસૂચિ માટે
HTSICH5801EW/V7V

HTSICH5801EW/V7V

આંશિક માલ: 759

વિશસૂચિ માટે
HTMS1201FTB/AF,115

HTMS1201FTB/AF,115

આંશિક માલ: 728

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 100kHz ~ 150kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1.76kb (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
PCF7937EA/C1AB5901

PCF7937EA/C1AB5901

આંશિક માલ: 36365

આવર્તન: 125kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write,

વિશસૂચિ માટે
HT2DC20S20/F/RSP

HT2DC20S20/F/RSP

આંશિક માલ: 50657

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 125kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 256b (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
PCF7931AS/3851,122

PCF7931AS/3851,122

આંશિક માલ: 769

વિશસૂચિ માટે
HTMS8201FTK/AF,115

HTMS8201FTK/AF,115

આંશિક માલ: 131205

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 100kHz ~ 150kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1.76kb (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,

વિશસૂચિ માટે
PCF7939VA/CABC0600

PCF7939VA/CABC0600

આંશિક માલ: 23557

વિશસૂચિ માટે
V680-D1KP58HT

V680-D1KP58HT

આંશિક માલ: 437

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1kB (User),

વિશસૂચિ માટે
V680-D1KP66MT

V680-D1KP66MT

આંશિક માલ: 1956

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1kB (User),

વિશસૂચિ માટે
V680S-D8KF67

V680S-D8KF67

આંશિક માલ: 623

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 8.2kB (User),

વિશસૂચિ માટે
V600-D8KR13

V600-D8KR13

આંશિક માલ: 266

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 8kB (User),

વિશસૂચિ માટે
WF-SM-ID

WF-SM-ID

આંશિક માલ: 10311

વિશસૂચિ માટે
LXMS31ACNA-011

LXMS31ACNA-011

આંશિક માલ: 53885

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 865MHz ~ 955MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 512b (User),

વિશસૂચિ માટે
DLP-RFIDTAG

DLP-RFIDTAG

આંશિક માલ: 2539

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 2kb (User), ધોરણો: ISO 15693, ISO 18000-3,

વિશસૂચિ માટે
SPS1M001A-05

SPS1M001A-05

આંશિક માલ: 4334

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 902MHz ~ 928MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 128b (EPC), ધોરણો: ISO 18000-6, EPC,

વિશસૂચિ માટે
SPS1M001A

SPS1M001A

આંશિક માલ: 9218

પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 902MHz ~ 928MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 128b (EPC), ધોરણો: ISO 18000-6, EPC,

વિશસૂચિ માટે
MN63Y3212N1

MN63Y3212N1

આંશિક માલ: 4000

પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 4kb (User), ધોરણો: ISO 14443,

વિશસૂચિ માટે
MAX66040K-000AA+

MAX66040K-000AA+

આંશિક માલ: 727

પ્રકાર: Card, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1kB (User), ધોરણો: ISO 14443,

વિશસૂચિ માટે