પ્રકાર: Key Fob, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 80b (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,
પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 88b (User),
પ્રકાર: Glass Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read Only, ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,
પ્રકાર: Card, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 2kb (User), ધોરણો: ISO 15693,
પ્રકાર: Glass Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 80b (User),
પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 2kb (User), ધોરણો: ISO 15693, ISO 18000-3,
પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read Only, ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,
પ્રકાર: Glass Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 80b (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,
પ્રકાર: Key Fob,
પ્રકાર: Card, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read Only, ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,
આવર્તન: 134.2kHz,
ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 134.2kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,
આવર્તન: 125kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write,
પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 100kHz ~ 150kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 256b (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,
પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 100kHz ~ 150kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1.76kb (User), ધોરણો: ISO 11784, ISO 11785,
પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 125kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 128kb (User),
પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 2kb (User), ધોરણો: ISO 14443,
પ્રકાર: Key Fob, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, ધોરણો: ISO 14443,
પ્રકાર: Card, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 13.56MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 1kB (User), ધોરણો: ISO 15693, ISO 18000-3,
પ્રકાર: Card, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 125kHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write,
પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 254kB (User),
પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 8.2kB (User),
પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 860MHz ~ 960MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 128b (EPC), 32b (User), ધોરણો: ISO 18000-6C, EPC,
પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Active, આવર્તન: 13.56MHz, ધોરણો: ISO 15693,
પ્રકાર: Encapsulated, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 860MHz ~ 960MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, ધોરણો: EPC, ISO 18000-6C,
પ્રકાર: Coin, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 125kHz, મેમરી પ્રકાર: Read Only,
પ્રકાર: Inlay, ટેકનોલોજી: Passive, આવર્તન: 902MHz ~ 928MHz, મેમરી પ્રકાર: Read/Write, લેખિત મેમરી: 128b (EPC), ધોરણો: ISO 18000-6, EPC,
