ટ્રાંઝિસ્ટર - આઇજીબીટી - મોડ્યુલો | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 65

APTGF165SK60D1G

આંશિક માલ: 463

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 230A, પાવર - મેક્સ: 730W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

આંશિક માલ: 496

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Half Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 220A, પાવર - મેક્સ: 833W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

આંશિક માલ: 456

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Half Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 230A, પાવર - મેક્સ: 781W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

આંશિક માલ: 448

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 230A, પાવર - મેક્સ: 730W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

આંશિક માલ: 440

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Full Bridge Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 25A, પાવર - મેક્સ: 140W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

આંશિક માલ: 442

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Half Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 25A, પાવર - મેક્સ: 140W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

આંશિક માલ: 487

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Full Bridge Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 25A, પાવર - મેક્સ: 140W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

આંશિક માલ: 414

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200A, પાવર - મેક્સ: 961W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

આંશિક માલ: 410

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Asymmetrical Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200A, પાવર - મેક્સ: 961W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

આંશિક માલ: 435

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200A, પાવર - મેક્સ: 961W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

આંશિક માલ: 453

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 135A, પાવર - મેક્સ: 568W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

આંશિક માલ: 3069

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Half Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200A, પાવર - મેક્સ: 961W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

આંશિક માલ: 453

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Dual, Common Source, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 135A, પાવર - મેક્સ: 568W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

આંશિક માલ: 411

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 130A, પાવર - મેક્સ: 735W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

આંશિક માલ: 435

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Half Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 135A, પાવર - મેક્સ: 568W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

આંશિક માલ: 455

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 93A, પાવર - મેક્સ: 378W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

આંશિક માલ: 418

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 93A, પાવર - મેક્સ: 378W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

આંશિક માલ: 3465

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 347W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

આંશિક માલ: 3433

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 347W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

આંશિક માલ: 448

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 277W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

આંશિક માલ: 465

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 58A, પાવર - મેક્સ: 192W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

આંશિક માલ: 416

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 58A, પાવર - મેક્સ: 192W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

આંશિક માલ: 481

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 120A, પાવર - મેક્સ: 416W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT75GN120J

આંશિક માલ: 420

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 124A, પાવર - મેક્સ: 379W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

આંશિક માલ: 401

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 124A, પાવર - મેક્સ: 379W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

આંશિક માલ: 445

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 93A, પાવર - મેક્સ: 378W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT50GP60J

આંશિક માલ: 2419

આઇજીબીટી પ્રકાર: PT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100A, પાવર - મેક્સ: 329W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

આંશિક માલ: 393

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 72A, પાવર - મેક્સ: 379W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

આંશિક માલ: 2536

આઇજીબીટી પ્રકાર: PT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 86A, પાવર - મેક્સ: 284W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

આંશિક માલ: 469

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 77A, પાવર - મેક્સ: 347W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

આંશિક માલ: 406

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 283A, પાવર - મેક્સ: 682W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

આંશિક માલ: 1653

આઇજીબીટી પ્રકાર: PT, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 128A, પાવર - મેક્સ: 543W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

આંશિક માલ: 1360

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Boost Chopper, Full Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 65A, પાવર - મેક્સ: 250W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

આંશિક માલ: 373

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Three Phase Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 454.5W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

A2P75S12M3

આંશિક માલ: 372

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Three Phase Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 454.5W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

A2C50S65M2

આંશિક માલ: 320

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Three Phase Inverter with Brake, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 650V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50A, પાવર - મેક્સ: 208W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે