Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - આઇજીબીટી - મોડ્યુલો

APTGV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

આંશિક માલ: 530

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Full Bridge Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 80A, પાવર - મેક્સ: 176W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

આંશિક માલ: 491

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Full Bridge Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100A, પાવર - મેક્સ: 250W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGV50H60BG
Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

આંશિક માલ: 539

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Boost Chopper, Full Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 80A, પાવર - મેક્સ: 176W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGV50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

આંશિક માલ: 546

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Full Bridge Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 270W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGV30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

આંશિક માલ: 476

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Full Bridge Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50A, પાવર - મેક્સ: 90W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

વિશસૂચિ માટે
APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

આંશિક માલ: 466

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Boost Chopper, Full Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 270W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

આંશિક માલ: 528

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Boost Chopper, Full Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 40A, પાવર - મેક્સ: 156W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

વિશસૂચિ માટે
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

આંશિક માલ: 540

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Full Bridge Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 40A, પાવર - મેક્સ: 156W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

વિશસૂચિ માટે
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

આંશિક માલ: 546

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Full Bridge Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150A, પાવર - મેક્સ: 340W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

વિશસૂચિ માટે
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

આંશિક માલ: 487

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Full Bridge Inverter, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 25A, પાવર - મેક્સ: 115W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

આંશિક માલ: 546

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Three Phase, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100A, પાવર - મેક્સ: 250W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

આંશિક માલ: 5307

આઇજીબીટી પ્રકાર: NPT, Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Boost Chopper, Full Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150A, પાવર - મેક્સ: 340W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

આંશિક માલ: 531

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 110A, પાવર - મેક્સ: 357W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

આંશિક માલ: 541

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 110A, પાવર - મેક્સ: 357W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

આંશિક માલ: 521

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Asymmetrical Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100A, પાવર - મેક્સ: 250W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

આંશિક માલ: 490

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Dual Buck Chopper, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100A, પાવર - મેક્સ: 250W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

આંશિક માલ: 478

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Asymmetrical Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 110A, પાવર - મેક્સ: 357W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

આંશિક માલ: 540

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1700V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 130A, પાવર - મેક્સ: 465W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

આંશિક માલ: 464

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1700V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 120A, પાવર - મેક્સ: 520W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

આંશિક માલ: 555

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 110A, પાવર - મેક્સ: 357W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

આંશિક માલ: 545

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Half Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1700V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 120A, પાવર - મેક્સ: 520W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

આંશિક માલ: 548

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 110A, પાવર - મેક્સ: 357W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

આંશિક માલ: 526

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Half Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 110A, પાવર - મેક્સ: 357W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

આંશિક માલ: 526

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 760A, પાવર - મેક્સ: 1600W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

આંશિક માલ: 482

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Three Phase, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1700V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 70A, પાવર - મેક્સ: 310W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

આંશિક માલ: 514

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1700V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 70A, પાવર - મેક્સ: 310W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

આંશિક માલ: 476

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Dual, Common Source, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1700V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 312W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

આંશિક માલ: 541

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Dual Buck Chopper, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 80A, પાવર - મેક્સ: 176W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

આંશિક માલ: 552

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Dual Buck Chopper, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 270W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

આંશિક માલ: 528

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Asymmetrical Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 80A, પાવર - મેક્સ: 176W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

આંશિક માલ: 3071

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1700V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 312W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

આંશિક માલ: 518

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1700V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 70A, પાવર - મેક્સ: 310W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

આંશિક માલ: 496

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Single, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 270W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

આંશિક માલ: 535

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Half Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1700V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 70A, પાવર - મેક્સ: 310W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

આંશિક માલ: 520

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Half Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 80A, પાવર - મેક્સ: 176W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

આંશિક માલ: 494

આઇજીબીટી પ્રકાર: Trench Field Stop, રૂપરેખાંકન: Half Bridge, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 1200V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 75A, પાવર - મેક્સ: 270W, Vce (ચાલુ) (મહત્તમ) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

વિશસૂચિ માટે