ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

FDW2502P

આંશિક માલ: 2769

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

FDW2508P

આંશિક માલ: 2776

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

FDD8424H-F085A

આંશિક માલ: 2940

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9A, 6.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

EFC6612R-A-TF

આંશિક માલ: 2936

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

વિશસૂચિ માટે

ECH8652-TL-H

આંશિક માલ: 2893

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 3A, 4.5V,

વિશસૂચિ માટે

NTHD4102PT3G

આંશિક માલ: 2764

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI9936DY

આંશિક માલ: 2776

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

NDC7002N_SB9G007

આંશિક માલ: 2756

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 510mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

FW906-TL-E

આંશિક માલ: 2911

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 8A, 10V,

વિશસૂચિ માટે

VEC2315-TL-H

આંશિક માલ: 2838

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 137 mOhm @ 1.5A, 10V,

વિશસૂચિ માટે

SI3951DV-T1-E3

આંશિક માલ: 2720

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

VQ1001P

આંશિક માલ: 2888

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 830mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

SI6955ADQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 3376

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 80 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

SI7983DP-T1-E3

આંશિક માલ: 2716

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 600µA,

વિશસૂચિ માટે

SI8904EDB-T2-E1

આંશિક માલ: 2770

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.8A, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.6V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

SI4511DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2835

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.2A, 4.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.8V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

TPC8207(TE12L,Q)

આંશિક માલ: 2742

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 200µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF9389PBF

આંશિક માલ: 2968

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.8A, 4.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 27 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 10µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF7530PBF

આંશિક માલ: 3352

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF7103QTRPBF

આંશિક માલ: 2795

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IPG20N06S3L-23

આંશિક માલ: 2870

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 23 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 20µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF5851

આંશિક માલ: 2672

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.7A, 2.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.25V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF8910GPBF

આંશિક માલ: 2804

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.55V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF7905PBF

આંશિક માલ: 2764

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.8A, 8.9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.25V @ 25µA,

વિશસૂચિ માટે