ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

EFC2J017NUZTDG

આંશિક માલ: 166927

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.3V @ 1mA,

FDMS3669S

આંશિક માલ: 164375

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 13A, 18A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 10 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.7V @ 250µA,

EFC4627R-TR

આંશિક માલ: 182266

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6332C

આંશિક માલ: 126485

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 700mA, 600mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

FDC6303N

આંશિક માલ: 175306

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 680mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

FW216A-TL-2WX

આંશિક માલ: 3039

ECH8691-TL-W

આંશિક માલ: 147834

NVMFD5489NLWFT3G

આંશિક માલ: 97513

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

FDS6961A

આંશિક માલ: 151064

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

NVMFD5C478NLWFT1G

આંશિક માલ: 6481

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10.5A (Ta), 29A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 20µA,

FDMD8280

આંશિક માલ: 48032

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 80V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8.2 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 250µA,

EFC4621R-TR

આંશિક માલ: 191534

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6304P-X

આંશિક માલ: 2943

CSD87334Q3D

આંશિક માલ: 121075

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 250µA,

CSD87503Q3ET

આંશિક માલ: 4047

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A (Ta), Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 250µA,

CSD88539ND

આંશિક માલ: 153712

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.6V @ 250µA,

DMNH6021SPDQ-13

આંશિક માલ: 153434

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.2A, 32A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

DMN61D8LVT-13

આંશિક માલ: 146214

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 630mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 1mA,

ZXMHC10A07N8TC

આંશિક માલ: 135940

એફઇટી પ્રકાર: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 800mA, 680mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 250µA,

ZXMC3A16DN8TC

આંશિક માલ: 118900

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.9A, 4.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

DMP2075UFDB-7

આંશિક માલ: 218

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.8A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

DMP1046UFDB-7

આંશિક માલ: 127126

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

SQJ844AEP-T1_GE3

આંશિક માલ: 165127

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 16.6 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

SI4511DY-T1-E3

આંશિક માલ: 3311

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.2A, 4.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.8V @ 250µA,

SI5511DC-T1-GE3

આંશિક માલ: 3024

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, 3.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

SSM6N357R,LF

આંશિક માલ: 16211

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 650mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 1mA,

SSM6P35FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 121978

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

GWM120-0075P3

આંશિક માલ: 2981

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 75V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 118A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 1mA,

FMP26-02P

આંશિક માલ: 4082

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 26A, 17A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 60 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 250µA,

GWM180-004X2-SLSAM

આંશિક માલ: 3050

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 180A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4.5V @ 1mA,

SLA5060

આંશિક માલ: 10412

એફઇટી પ્રકાર: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 220 mOhm @ 3A, 4V,

SLA5073

આંશિક માલ: 12628

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 300 mOhm @ 3A, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

EPC2104ENGRT

આંશિક માલ: 13673

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 23A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 5.5mA,

EPC2101ENGRT

આંશિક માલ: 13969

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.5A, 38A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 2mA,

IRF8915TRPBF

આંશિક માલ: 198689

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

NX138BKSX

આંશિક માલ: 123100

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 210mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,