ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

CMLDM3737 TR

આંશિક માલ: 117843

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 540mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Central Semiconductor Corp

CMLDM7585 TR

આંશિક માલ: 161601

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 650mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Central Semiconductor Corp

CMXDM7002A TR

આંશિક માલ: 126593

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 280mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMC2450UV-13

આંશિક માલ: 171377

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.03A, 700mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 900mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMTH6010LPDQ-13

આંશિક માલ: 125205

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMP2066LSD-13

આંશિક માલ: 103006

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMP2004DWK-7

આંશિક માલ: 187523

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 430mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NVJD4401NT1G

આંશિક માલ: 192220

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 630mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NVMFD5877NLT1G

આંશિક માલ: 171488

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NTZD5110NT5G

આંશિક માલ: 3000

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 294mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDR8702H

આંશિક માલ: 3117

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.6A, 2.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NTLLD4901NFTWG

આંશિક માલ: 132118

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.5A, 6.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDC6333C

આંશિક માલ: 131502

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.5A, 2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 95 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDMA3023PZ

આંશિક માલ: 148246

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDZ1323NZ

આંશિક માલ: 166913

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NTMFD4C20NT1G

આંશિક માલ: 166740

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.1A, 13.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDPC5018SG

આંશિક માલ: 62456

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 17A, 32A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

NXP USA Inc.

SI9936DY,518

આંશિક માલ: 3387

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Cree/Wolfspeed

CAS300M17BM2

આંશિક માલ: 115

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1700V (1.7kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 325A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 10 mOhm @ 225A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 15mA (Typ),

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

UT6JA2TCR

આંશિક માલ: 157843

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 70 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

SH8J65TB1

આંશિક માલ: 100136

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

UM6K33NTN

આંશિક માલ: 191317

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.2V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Sanken

SMA5117

આંશિક માલ: 6110

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 250V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 250 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Sanken

SLA5068-LF830

આંશિક માલ: 11177

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4946DCS RLG

આંશિક માલ: 16502

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE,LM

આંશિક માલ: 173905

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P15FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 13232

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.7V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

STS4DNF60L

આંશિક માલ: 93425

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Micro Commercial Co

MCCD2007-TP

આંશિક માલ: 117884

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4618DY-T1-E3

આંશિક માલ: 113583

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, 15.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7901EDN-T1-E3

આંશિક માલ: 3002

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 800µA,

વિશસૂચિ માટે

Texas Instruments

CSD75301W1015

આંશિક માલ: 2951

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF7380TRPBF

આંશિક માલ: 159831

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 80V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF9956PBF

આંશિક માલ: 2963

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

DF23MR12W1M1B11BOMA1

આંશિક માલ: 3162

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 25A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 25A, 15V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5.5V @ 10mA,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

FMM22-06PF

આંશિક માલ: 4230

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 12A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 350 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે