મેમરી કદ: 18K (2K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 18ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 1.125K (64 x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 25MHz, Timeક્સેસ સમય: 20ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40µA,
મેમરી કદ: 18K (512 x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 11ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 1.125K (64 x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 25MHz, Timeક્સેસ સમય: 20ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 9K (512 x 18), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 18ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 9K (512 x 18), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 18ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40µA,
મેમરી કદ: 36K (1K x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 166MHz, Timeક્સેસ સમય: 4.5ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40mA,
મેમરી કદ: 1.125K (64 x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 13ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 1.125K (64 x 18), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 18ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40µA,
મેમરી કદ: 9K (512 x 18), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 15ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 72K (2K x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 11ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 16K (1K x 16), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 25ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 100mA,
મેમરી કદ: 4.5K (64 x 36 x 2), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 12ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 1mA,
મેમરી કદ: 4.5K (512 x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 15MHz, Timeક્સેસ સમય: 50ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 80mA,
મેમરી કદ: 1.125M (16K x 72), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 100MHz, Timeક્સેસ સમય: 6.5ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 75mA,
મેમરી કદ: 36K (4K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 22.22MHz, Timeક્સેસ સમય: 35ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 120mA,
મેમરી કદ: 5M (128K x 20 x 2)(128K x 10 x 4), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 150MHz, Timeક્સેસ સમય: 3.8ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.375V ~ 2.625V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 350mA,
મેમરી કદ: 4.5K (512 x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 22.2MHz, Timeક્સેસ સમય: 35ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 80mA,
મેમરી કદ: 4.5K (64 x 36 x 2), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 1mA,
મેમરી કદ: 9K (1K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 22.2MHz, Timeક્સેસ સમય: 35ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 80mA,
મેમરી કદ: 5M (128K x 20 x 2)(128K x 10 x 4), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 200MHz, Timeક્સેસ સમય: 3.6ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.375V ~ 2.625V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 350mA,
મેમરી કદ: 2.25K (64 x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 1mA,
મેમરી કદ: 288K (32K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 15ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 60mA,
મેમરી કદ: 1.125M (64K x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 36K (4K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 20ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 55mA,
મેમરી કદ: 72K (4K x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 45mA,
મેમરી કદ: 1.125M (64K x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 30mA,
મેમરી કદ: 18K (2K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 576K (32K x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 30mA,
મેમરી કદ: 18K (2K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 11ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 20mA,
મેમરી કદ: 72K (8K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 100MHz, Timeક્સેસ સમય: 8ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 72K (8K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 36M (1M x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 133MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V,
મેમરી કદ: 9K (1K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 85mA,
