મેમરી કદ: 5M (128K x 40), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 150MHz, Timeક્સેસ સમય: 3.8ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.375V ~ 2.625V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 60mA,
મેમરી કદ: 72K (1K x 72), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 100MHz, Timeક્સેસ સમય: 6.5ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 75mA,
મેમરી કદ: 1.125M (16K x 72), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 75mA,
મેમરી કદ: 2.5M (16K x 40 x 4), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 150MHz, Timeક્સેસ સમય: 3.8ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.375V ~ 2.625V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 260mA,
મેમરી કદ: 2.25K (64 x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 130mA,
મેમરી કદ: 4.5M (64K x 72), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 75mA,
મેમરી કદ: 5M (128K x 40), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 200MHz, Timeક્સેસ સમય: 3.6ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.375V ~ 2.625V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 60mA,
મેમરી કદ: 320 (64 x 5), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 25MHz, Timeક્સેસ સમય: 25ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 60mA,
મેમરી કદ: 4.5K (64 x 36 x 2), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 12ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 1mA,
મેમરી કદ: 576K (64K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 28.5MHz, Timeક્સેસ સમય: 25ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 120mA,
મેમરી કદ: 9K (1K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 33.3MHz, Timeક્સેસ સમય: 20ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 80mA,
મેમરી કદ: 36K (1K x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 36K (1K x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 11ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 18K (1K x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 13ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 9K (512 x 18), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 25MHz, Timeક્સેસ સમય: 20ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40µA,
મેમરી કદ: 72K (2K x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 11ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 64 (16 x 4), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 30ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 125mA,
મેમરી કદ: 1.125M (32K x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 100MHz, Timeક્સેસ સમય: 6.5ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40mA,
મેમરી કદ: 18K (1K x 9 x 2), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 25ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 1.125K (64 x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 15ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40µA,
મેમરી કદ: 9K (512 x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 15ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 4.5K (256 x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 15ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40µA,
મેમરી કદ: 288K (16K x 18)(32K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 166MHz, Timeક્સેસ સમય: 4.5ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 18K (1K x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 35MHz, Timeક્સેસ સમય: 18ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 1mA,
મેમરી કદ: 4.5K (64 x 36 x 2), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 33.4MHz, Timeક્સેસ સમય: 15ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 130mA,
મેમરી કદ: 9K (512 x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 25MHz, Timeક્સેસ સમય: 20ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 18K (1K x 9 x 2), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 25MHz, Timeક્સેસ સમય: 35ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400µA,
મેમરી કદ: 18K (512 x 18 x 2), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 12ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 95mA,
મેમરી કદ: 9K (1K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 85mA,
મેમરી કદ: 36K (4K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 11ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 20mA,
મેમરી કદ: 144K (8K x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 36K (4K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 85mA,
મેમરી કદ: 72K (8K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 100MHz, Timeક્સેસ સમય: 8ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40mA,
મેમરી કદ: 144K (8K x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 30mA,
મેમરી કદ: 36K (4K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 20ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 55mA,
મેમરી કદ: 18K (1K x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 100MHz, Timeક્સેસ સમય: 8ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 50mA,
