ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.99GHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 18.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.96GHz, મેળવો: 17.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.96GHz, મેળવો: 16dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 470MHz, મેળવો: 21dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 1µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), Common Source, આવર્તન: 2.61GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.14GHz, મેળવો: 15.8dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 765MHz, મેળવો: 18.7dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.93GHz ~ 1.99GHz, મેળવો: 17.9dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.62GHz, મેળવો: 16dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: pHEMT FET, આવર્તન: 3.55GHz, મેળવો: 10dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 12V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.93GHz, મેળવો: 14.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 26V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.93GHz ~ 1.99GHz, મેળવો: 14.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 19.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.7GHz, મેળવો: 16.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 860MHz, મેળવો: 18.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 32V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 21.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 20.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.4GHz, મેળવો: 15.4dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.6GHz ~ 1.66GHz, મેળવો: 19.7dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 857MHz ~ 863MHz, મેળવો: 20.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 32V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 945MHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 26V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 920MHz, મેળવો: 19.3dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HFET, આવર્તન: 20GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 2V, વર્તમાન રેટિંગ: 70mA, અવાજ આકૃતિ: 0.65dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel GaAs HJ-FET, આવર્તન: 12GHz, મેળવો: 13dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 2V, વર્તમાન રેટિંગ: 60mA, અવાજ આકૃતિ: 0.65dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.17GHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.2GHz, મેળવો: 17dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, વર્તમાન રેટિંગ: 15mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, વર્તમાન રેટિંગ: 30mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, આવર્તન: 470MHz, મેળવો: 13.3dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 6V, વર્તમાન રેટિંગ: 2A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 500MHz, મેળવો: 17dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 12.5V, વર્તમાન રેટિંગ: 4A,
