ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, વર્તમાન રેટિંગ: 15mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 945MHz, મેળવો: 14dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 4A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 500MHz, મેળવો: 14.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 12.5V, વર્તમાન રેટિંગ: 7A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 15dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 250mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 870MHz, મેળવો: 16.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 7.5V, વર્તમાન રેટિંગ: 7A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.17GHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 821MHz, મેળવો: 19.3dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.14GHz, મેળવો: 15.8dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.17GHz, મેળવો: 14dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 1µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 17.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), Common Source, આવર્તન: 2.61GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 860MHz, મેળવો: 22.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.11GHz ~ 2.17GHz, મેળવો: 17.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 20.9dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.99GHz, મેળવો: 14dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.16GHz ~ 2.17GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.93GHz ~ 1.99GHz, મેળવો: 14dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 450MHz, મેળવો: 22dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.96GHz, મેળવો: 13dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 26V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 945MHz, મેળવો: 19dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 230MHz, મેળવો: 26.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 17.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 26V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.17GHz, મેળવો: 17.3dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 21dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 940MHz, મેળવો: 21dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: pHEMT FET, આવર્તન: 3.55GHz, મેળવો: 11dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 12V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.11GHz ~ 2.17GHz, મેળવો: 14.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.66GHz, મેળવો: 14.6dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 860MHz, મેળવો: 18.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 32V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel GaAs HJ-FET, આવર્તન: 12GHz, મેળવો: 14dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 2V, વર્તમાન રેટિંગ: 60mA, અવાજ આકૃતિ: 0.35dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HFET, આવર્તન: 12GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 2V, વર્તમાન રેટિંગ: 15mA, અવાજ આકૃતિ: 0.35dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HFET, આવર્તન: 6GHz, મેળવો: 15.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 8V, વર્તમાન રેટિંગ: 450mA, અવાજ આકૃતિ: 4.5dB,
