ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 19dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 0Hz ~ 4GHz, મેળવો: 19dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 28A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 470MHz, મેળવો: 21dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 18.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 0Hz ~ 6GHz, મેળવો: 14.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 3.5A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 6GHz, મેળવો: 15dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 6GHz, મેળવો: 16dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 40V, વર્તમાન રેટિંગ: 950mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 746MHz ~ 821MHz, મેળવો: 20.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 48V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 869MHz ~ 960MHz, મેળવો: 18.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.99GHz, મેળવો: 19dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 3GHz, મેળવો: 13dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), Common Source, આવર્તન: 390MHz ~ 450MHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 500MHz, મેળવો: 14.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 12.5V, વર્તમાન રેટિંગ: 7A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 945MHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 12A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 870MHz, મેળવો: 17.3dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 13.6V, વર્તમાન રેટિંગ: 7A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, આવર્તન: 30MHz, મેળવો: 24dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V, વર્તમાન રેટિંગ: 40A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.8MHz ~ 500MHz, મેળવો: 22.5dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 1.03GHz, મેળવો: 20dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 19.4dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 2.14GHz, મેળવો: 18.1dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.3GHz, મેળવો: 22.7dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 2.45GHz,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.88GHz, મેળવો: 16dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.45GHz, મેળવો: 15.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 32V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, આવર્તન: 1.93GHz, મેળવો: 17.8dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 920MHz, મેળવો: 23.1dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 512MHz, મેળવો: 26dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 3.3GHz ~ 3.8GHz, મેળવો: 10.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 5A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 0Hz ~ 3GHz, મેળવો: 15.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V, વર્તમાન રેટિંગ: 800mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: pHEMT FET, આવર્તન: 20GHz, મેળવો: 13.8dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 2V, વર્તમાન રેટિંગ: 15mA, અવાજ આકૃતિ: 0.8dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, આવર્તન: 65MHz, મેળવો: 23dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 100V, વર્તમાન રેટિંગ: 8A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, આવર્તન: 520MHz, મેળવો: 11.7dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 9.6V, વર્તમાન રેટિંગ: 5A,
