ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), Common Source, આવર્તન: 790MHz ~ 820MHz, મેળવો: 15.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 48V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 0 ~ 4GHz, મેળવો: 11dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V, વર્તમાન રેટિંગ: 8.7A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 1.4GHz, મેળવો: 14.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V, વર્તમાન રેટિંગ: 24A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 19dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 2.69GHz, મેળવો: 20dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 5.2GHz ~ 5.9GHz, મેળવો: 11.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V, વર્તમાન રેટિંગ: 24A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.4GHz, મેળવો: 14.3dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 860MHz, મેળવો: 22dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 1.92GHz, મેળવો: 16.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 18.6dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.3GHz, મેળવો: 22.7dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.69GHz, મેળવો: 16.3dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 16.8dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 230MHz, મેળવો: 25dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 19dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 860MHz, મેળવો: 22dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 450MHz, મેળવો: 20dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 220MHz, મેળવો: 23.9dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 960MHz, મેળવો: 19.4dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 1.8MHz ~ 1.215GHz, મેળવો: 25.6dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V, વર્તમાન રેટિંગ: 2µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 2.9GHz, મેળવો: 13.3dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, આવર્તન: 175MHz, મેળવો: 15dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V, વર્તમાન રેટિંગ: 20A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 870MHz, મેળવો: 17dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 13.6V, વર્તમાન રેટિંગ: 8A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 500MHz, મેળવો: 17dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 12.5V, વર્તમાન રેટિંગ: 4A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 870MHz, મેળવો: 17dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 13.6V, વર્તમાન રેટિંગ: 2A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, આવર્તન: 80MHz, મેળવો: 21dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V, વર્તમાન રેટિંગ: 4mA,
આવર્તન: 2.7GHz ~ 3.5GHz, મેળવો: 25dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V, વર્તમાન રેટિંગ: 4.2A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, આવર્તન: 520MHz, મેળવો: 10.8dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 7.2V, વર્તમાન રેટિંગ: 1A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel, આવર્તન: 70MHz, મેળવો: 17dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 100V, વર્તમાન રેટિંગ: 10A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, વર્તમાન રેટિંગ: 15mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HEMT, આવર્તન: 3GHz, મેળવો: 14dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
