પ્રકાર | વર્ણન |
ભાગની સ્થિતિ | Not For New Designs |
---|---|
એફઇટી પ્રકાર | N-Channel |
ટેકનોલોજી | GaNFET (Gallium Nitride) |
સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો | 650V |
વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે | 50A (Tc) |
ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ) | 10V |
આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ. | 41 mOhm @ 32A, 8V |
Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી | 2.65V @ 700µA |
ગેટ ચાર્જ (Qg) (મહત્તમ) @ Vgs | 42nC @ 8V |
Vgs (મહત્તમ) | ±18V |
ઇનપુટ કેપેસિટેન્સ (સિસ) (મેક્સ) @ વીડીએસ | 2197pF @ 400V |
FET લક્ષણ | - |
પાવર ડિસીપિશન (મેક્સ) | 178W (Tc) |
સંચાલન તાપમાન | -55°C ~ 150°C (TJ) |
માઉન્ટિંગ પ્રકાર | Through Hole |
સપ્લાયર ડિવાઇસ પેકેજ | TO-247-3 |
પેકેજ / કેસ | TO-247-3 |
રોહ્સ સ્થિતિ | રોહ્સ સુસંગત |
---|---|
ભેજ સંવેદનશીલતા સ્તર (એમએસએલ) | લાગુ પડતું નથી |
લાઇફસાયકલ સ્થિતિ | જીવનના અપ્રચલિત / અંત |
માલ-શ્રેણી | ઉપલબ્ધ સ્ટોક |