પ્રકાર | વર્ણન |
ભાગની સ્થિતિ | Active |
---|---|
એફઇટી પ્રકાર | N-Channel |
ટેકનોલોજી | SiCFET (Silicon Carbide) |
સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો | 650V |
વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે | 93A (Tc) |
ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ) | 18V |
આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ. | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી | 5.6V @ 18.2mA |
ગેટ ચાર્જ (Qg) (મહત્તમ) @ Vgs | 133nC @ 18V |
Vgs (મહત્તમ) | +22V, -4V |
ઇનપુટ કેપેસિટેન્સ (સિસ) (મેક્સ) @ વીડીએસ | 2208pF @ 500V |
FET લક્ષણ | - |
પાવર ડિસીપિશન (મેક્સ) | 339W (Tc) |
સંચાલન તાપમાન | 175°C (TJ) |
માઉન્ટિંગ પ્રકાર | Through Hole |
સપ્લાયર ડિવાઇસ પેકેજ | TO-247N |
પેકેજ / કેસ | TO-247-3 |
રોહ્સ સ્થિતિ | રોહ્સ સુસંગત |
---|---|
ભેજ સંવેદનશીલતા સ્તર (એમએસએલ) | લાગુ પડતું નથી |
લાઇફસાયકલ સ્થિતિ | જીવનના અપ્રચલિત / અંત |
માલ-શ્રેણી | ઉપલબ્ધ સ્ટોક |