| પ્રકાર | વર્ણન |
| ભાગની સ્થિતિ | Active |
|---|---|
| એફઇટી પ્રકાર | P-Channel |
| ટેકનોલોજી | MOSFET (Metal Oxide) |
| સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો | 12V |
| વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે | 3A (Ta) |
| ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ) | 1.5V, 4.5V |
| આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ. | 39 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી | 1V @ 1mA |
| ગેટ ચાર્જ (Qg) (મહત્તમ) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Vgs (મહત્તમ) | ±10V |
| ઇનપુટ કેપેસિટેન્સ (સિસ) (મેક્સ) @ વીડીએસ | 1860pF @ 6V |
| FET લક્ષણ | - |
| પાવર ડિસીપિશન (મેક્સ) | 800mW (Ta) |
| સંચાલન તાપમાન | 150°C (TJ) |
| માઉન્ટિંગ પ્રકાર | Surface Mount |
| સપ્લાયર ડિવાઇસ પેકેજ | TUMT3 |
| પેકેજ / કેસ | 3-SMD, Flat Leads |
| રોહ્સ સ્થિતિ | રોહ્સ સુસંગત |
|---|---|
| ભેજ સંવેદનશીલતા સ્તર (એમએસએલ) | લાગુ પડતું નથી |
| લાઇફસાયકલ સ્થિતિ | જીવનના અપ્રચલિત / અંત |
| માલ-શ્રેણી | ઉપલબ્ધ સ્ટોક |
