| પ્રકાર | વર્ણન |
| ભાગની સ્થિતિ | Active |
|---|---|
| એફઇટી પ્રકાર | P-Channel |
| ટેકનોલોજી | MOSFET (Metal Oxide) |
| સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો | 60V |
| વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે | 1.1A (Ta) |
| ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ) | 10V |
| આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ. | 500 mOhm @ 660mA, 10V |
| Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી | 4V @ 250µA |
| ગેટ ચાર્જ (Qg) (મહત્તમ) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (મહત્તમ) | ±20V |
| ઇનપુટ કેપેસિટેન્સ (સિસ) (મેક્સ) @ વીડીએસ | 270pF @ 25V |
| FET લક્ષણ | - |
| પાવર ડિસીપિશન (મેક્સ) | 1.3W (Ta) |
| સંચાલન તાપમાન | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| માઉન્ટિંગ પ્રકાર | Through Hole |
| સપ્લાયર ડિવાઇસ પેકેજ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| પેકેજ / કેસ | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| રોહ્સ સ્થિતિ | રોહ્સ સુસંગત |
|---|---|
| ભેજ સંવેદનશીલતા સ્તર (એમએસએલ) | લાગુ પડતું નથી |
| લાઇફસાયકલ સ્થિતિ | જીવનના અપ્રચલિત / અંત |
| માલ-શ્રેણી | ઉપલબ્ધ સ્ટોક |
