ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

SS2PH9HM3_A/H

આંશિક માલ: 89

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 29V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW60-M3/I

આંશિક માલ: 150636

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 660mV @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1C-M3/73

આંશિક માલ: 175166

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 25ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-5ECH06-M3/9AT

આંશિક માલ: 184431

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.95V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 23ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB240S-E3/54

આંશિક માલ: 180807

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ015-M3/9AT

આંશિક માલ: 182364

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 15V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 350mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3B-E3/9AT

આંશિક માલ: 162851

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 2.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 150ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF10150S-E3/4W

આંશિક માલ: 130546

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3D-M3/9AT

આંશિક માલ: 173174

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 2.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 150ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5GHE3_A/I

આંશિક માલ: 154855

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.15V @ 5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H9-E3/52T

આંશિક માલ: 184421

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 790mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS26HE3_A/I

આંશિક માલ: 175345

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SL44-M3/9AT

આંશિક માલ: 143150

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 440mV @ 4A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SL23-M3/5BT

આંશિક માલ: 104954

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 500mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PJHM3J/84A

આંશિક માલ: 123648

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 1.8µs,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P4HM3/84A

આંશિક માલ: 153780

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3GHE3_A/I

આંશિક માલ: 124575

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 2.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 150ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5KHE3_A/I

આંશિક માલ: 195340

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.15V @ 5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5JHE3_A/H

આંશિક માલ: 136107

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.15V @ 5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080S-E3/4W

આંશિક માલ: 140332

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 920mV @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1PB-M3/84A

આંશિક માલ: 122353

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 150ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H9HE3_B/I

આંશિક માલ: 105

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS29-M3/5BT

આંશિક માલ: 180933

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS36-E3/9AT

આંશિક માલ: 168758

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3HM3/85A

આંશિક માલ: 152510

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB160-E3/53

આંશિક માલ: 125480

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SL23HE3_A/H

આંશિક માલ: 150924

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 395mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF5405-E3/73

આંશિક માલ: 111356

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 75ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10G-E3/54

આંશિક માલ: 115566

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR440-E3/73

આંશિક માલ: 125861

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.28V @ 4A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 75ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HM3J/84A

આંશિક માલ: 136622

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ060HM3/5BT

આંશિક માલ: 134192

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 490mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI10150S-E3/4W

આંશિક માલ: 135341

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS210HE3_A/H

આંશિક માલ: 103

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5J-E3/9AT

આંશિક માલ: 133557

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.15V @ 5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS29-M3/52T

આંશિક માલ: 123705

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ