Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

  • ઘર
  •  
  • ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ
BYG10YHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/H

આંશિક માલ: 17865

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.15V @ 1.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4µs,

વિશસૂચિ
BYG10J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR

આંશિક માલ: 149622

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.15V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4µs,

વિશસૂચિ
BY252P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252P-E3/54

આંશિક માલ: 145929

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 3µs,

વિશસૂચિ
BY253P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253P-E3/54

આંશિક માલ: 127396

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 3µs,

વિશસૂચિ
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-E3-08

આંશિક માલ: 102442

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
BA159-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/73

આંશિક માલ: 135265

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ
BAS70-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-02V-V-G-08

આંશિક માલ: 174638

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 70V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 15mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 5ns,

વિશસૂચિ
BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-08

આંશિક માલ: 165592

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
BYM11-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/96

આંશિક માલ: 154481

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 150ns,

વિશસૂચિ
BAS21-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-HE3-08

આંશિક માલ: 108310

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
BYM10-800-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800-E3/96

આંશિક માલ: 191060

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
BYM10-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600-E3/96

આંશિક માલ: 119015

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
B360B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/5BT

આંશિક માલ: 164916

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 660mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
BYG24D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR

આંશિક માલ: 162130

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 1.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 140ns,

વિશસૂચિ
B340A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-M3/61T

આંશિક માલ: 143315

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
B120-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B120-E3/61T

આંશિક માલ: 144292

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 520mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TR

આંશિક માલ: 191605

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 7.5µs,

વિશસૂચિ
B160-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B160-E3/5AT

આંશિક માલ: 189351

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
BYS11-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90-E3/TR3

આંશિક માલ: 136594

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TR

આંશિક માલ: 166134

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.9V @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 60ns,

વિશસૂચિ
BYG20D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR3

આંશિક માલ: 156933

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 1.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 75ns,

વિશસૂચિ
BYT56M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TAP

આંશિક માલ: 190205

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 100ns,

વિશસૂચિ
B130-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B130-E3/5AT

આંશિક માલ: 180095

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 520mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
BYT56M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TR

આંશિક માલ: 181153

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 100ns,

વિશસૂચિ
BAQ134-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ134-GS08

આંશિક માલ: 114583

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ
BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TAP

આંશિક માલ: 141378

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.35V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 210ns,

વિશસૂચિ
BYG21K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR3

આંશિક માલ: 119683

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.6V @ 1.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 120ns,

વિશસૂચિ
BYV28-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TAP

આંશિક માલ: 146611

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 30ns,

વિશસૂચિ
BYG10YHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/I

આંશિક માલ: 20320

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.15V @ 1.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4µs,

વિશસૂચિ
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ34-GS08

આંશિક માલ: 163973

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ
BYG10YHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/I

આંશિક માલ: 20300

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.15V @ 1.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4µs,

વિશસૂચિ
BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW86-TR

આંશિક માલ: 177974

ડાયોડ પ્રકાર: Avalanche, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 7.5µs,

વિશસૂચિ
BY255P-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255P-E3/73

આંશિક માલ: 105347

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1300V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 3µs,

વિશસૂચિ
BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-00-E3-08

આંશિક માલ: 177694

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 40mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 5ns,

વિશસૂચિ
BAT43WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-E3-08

આંશિક માલ: 163088

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 450mV @ 15mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 5ns,

વિશસૂચિ
BAT43WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-HE3-08

આંશિક માલ: 187575

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 450mV @ 15mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 5ns,

વિશસૂચિ