Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એરે

  • ઘર
  •  
  • ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એરે
UGB10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10GCTHE3/45

આંશિક માલ: 107532

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPB16ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16ATHE3/45

આંશિક માલ: 90046

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UG18CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18CCT-E3/45

આંશિક માલ: 97942

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 9A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UG10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10GCT-E3/45

આંશિક માલ: 143721

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GSD2004C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-E3-18

આંશિક માલ: 141499

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 240V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 225mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GSD2004S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-E3-18

આંશિક માલ: 111184

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Series Connection, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 240V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 225mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GSD2004S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-HE3-18

આંશિક માલ: 198916

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Series Connection, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 240V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 225mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPF16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16HT-E3/45

આંશિક માલ: 87593

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UGB18ACTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18ACTHE3/45

આંશિક માલ: 90754

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 9A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UGB10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10BCT-E3/45

આંશિક માલ: 126140

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UGB18DCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCT-E3/81

આંશિક માલ: 78616

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 9A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPB16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16FT-E3/45

આંશિક માલ: 84428

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 300V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPF16BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16BTHE3/45

આંશિક માલ: 83672

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UGB10CCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10CCT-E3/81

આંશિક માલ: 99554

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPF16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16HTHE3/45

આંશિક માલ: 83658

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPB16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JT-E3/45

આંશિક માલ: 130498

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPB16BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16BTHE3/45

આંશિક માલ: 89969

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16GT-E3/45

આંશિક માલ: 84414

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UGF10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10DCTHE3/45

આંશિક માલ: 116321

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEP30BP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30BP-E3/45

આંશિક માલ: 58565

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UGF18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18DCT-E3/45

આંશિક માલ: 100240

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 9A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEP16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16HT-E3/45

આંશિક માલ: 96088

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UG18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18DCT-E3/45

આંશિક માલ: 97938

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 9A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JTHE3/81

આંશિક માલ: 68801

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UG10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10CCT-E3/45

આંશિક માલ: 153979

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UGB10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10DCTHE3/45

આંશિક માલ: 3388

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UG30BPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG30BPT-E3/45

આંશિક માલ: 34503

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 30A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.15V @ 30A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UGB10BCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10BCT-E3/81

આંશિક માલ: 99573

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UGF18CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18CCTHE3/45

આંશિક માલ: 96909

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 9A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPB16HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16HT-E3/81

આંશિક માલ: 69932

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPF16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16BT-E3/45

આંશિક માલ: 86860

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-8CVH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CVH02-M3/I

આંશિક માલ: 4413

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.14V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPB16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16AT-E3/45

આંશિક માલ: 90898

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GIB2403HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2403HE3/45

આંશિક માલ: 87474

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 975mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
UGB18ACT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18ACT-E3/81

આંશિક માલ: 78600

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 9A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
FEPB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16GTHE3/45

આંશિક માલ: 82984

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ