ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એરે

ઘર
ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એરે

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ06FNTRR

આંશિક માલ: 4421

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 610mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ06FNTRL

આંશિક માલ: 3664

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 610mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ04FNTRL

આંશિક માલ: 3689

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ03FNTRR

આંશિક માલ: 3644

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 470mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ03FNTRL

આંશિક માલ: 3651

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 470mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045STRR

આંશિક માલ: 3675

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035STRR

આંશિક માલ: 3611

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045STRL

આંશિક માલ: 3629

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10CTQ150STRR

આંશિક માલ: 4365

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 930mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035STRL

આંશિક માલ: 3601

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10CTQ150-1

આંશિક માલ: 4419

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 930mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10CTQ150STRL

આંશિક માલ: 3648

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 930mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

162CNQ030

આંશિક માલ: 3672

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 80A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 530mV @ 80A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

162CMQ030

આંશિક માલ: 3621

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 160A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 160A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

161CNQ045

આંશિક માલ: 3624

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 80A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 710mV @ 80A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ045

આંશિક માલ: 4399

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 7.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 7.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035

આંશિક માલ: 3651

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 7.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 7.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045

આંશિક માલ: 3636

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ040

આંશિક માલ: 3605

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035

આંશિક માલ: 3647

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

153CNQ100

આંશિક માલ: 3612

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.19V @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

151CMQ045

આંશિક માલ: 3677

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 920mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

153CMQ080

આંશિક માલ: 4389

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.19V @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

151CMQ040

આંશિક માલ: 3606

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 920mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

150CMQ045

આંશિક માલ: 3636

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 870mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

150CMQ035

આંશિક માલ: 3650

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 870mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

150CMQ040

આંશિક માલ: 3604

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 870mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ045S

આંશિક માલ: 3589

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 7.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 7.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080S

આંશિક માલ: 3608

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 720mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035S

આંશિક માલ: 3620

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 7.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 7.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045S

આંશિક માલ: 3627

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035S

આંશિક માલ: 4408

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100S

આંશિક માલ: 3609

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 720mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ10FN

આંશિક માલ: 3616

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ10FNTRR

આંશિક માલ: 3607

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ03FN

આંશિક માલ: 3531

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 470mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

3488

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»