ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી., મોસ્ફેટ્સ - એકલ

SIHU3N50D-E3

આંશિક માલ: 183482

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V,

SI4426DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 108082

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.5A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

IRFP344

આંશિક માલ: 19691

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 450V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.5A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 630 mOhm @ 5.7A, 10V,

SI2309CDS-T1-E3

આંશિક માલ: 130102

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.6A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 345 mOhm @ 1.25A, 10V,

IRLIZ44G

આંશિક માલ: 37034

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4V, 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 18A, 5V,

SIHA15N60E-E3

આંશિક માલ: 21705

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 280 mOhm @ 8A, 10V,

SI4829DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 167514

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 215 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

SI4668DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 139878

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 16.2A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

IRFP27N60K

આંશિક માલ: 5026

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 27A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 220 mOhm @ 16A, 10V,

IRFIBC40G

આંશિક માલ: 14814

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.5A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.2 Ohm @ 2.1A, 10V,

SI6415DQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 101842

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 19 mOhm @ 6.5A, 10V,

SI5443DC-T1-E3

આંશિક માલ: 121926

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.6A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

SIHF16N50C-E3

આંશિક માલ: 20516

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 16A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 380 mOhm @ 8A, 10V,

SIE802DF-T1-GE3

આંશિક માલ: 37721

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.9 mOhm @ 23.6A, 10V,

SI7308DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 139888

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 58 mOhm @ 5.4A, 10V,

SI7846DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 51978

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 150V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 5A, 10V,

SI4436DY-T1-E3

આંશિક માલ: 176190

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 36 mOhm @ 4.6A, 10V,

IRFR420TRRPBF

આંશિક માલ: 93135

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.4A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

IRFR010TRPBF

આંશિક માલ: 112496

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.2A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

SI7120ADN-T1-GE3

આંશિક માલ: 99158

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 9.5A, 10V,

SI7159DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 101251

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7 mOhm @ 15A, 10V,

IRF734

આંશિક માલ: 48390

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 450V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.9A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.2 Ohm @ 2.9A, 10V,

SIHP14N50D-E3

આંશિક માલ: 48388

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 14A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 400 mOhm @ 7A, 10V,

SI4196DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 108148

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.8V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 27 mOhm @ 8A, 4.5V,

SIHP10N40D-E3

આંશિક માલ: 37409

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 400V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 600 mOhm @ 5A, 10V,

SI7414DN-T1-E3

આંશિક માલ: 128179

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.6A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 8.7A, 10V,

IRFI820G

આંશિક માલ: 22280

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.1A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 Ohm @ 1.3A, 10V,

IRFP22N60KPBF

આંશિક માલ: 8276

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 280 mOhm @ 13A, 10V,

IRFZ10PBF

આંશિક માલ: 42374

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 200 mOhm @ 6A, 10V,

SI7450DP-T1-RE3

આંશિક માલ: 135

SI3127DV-T1-GE3

આંશિક માલ: 164595

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.5A (Ta), 13A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 89 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

SI5424DC-T1-GE3

આંશિક માલ: 167621

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 4.8A, 10V,

SI7868ADP-T1-GE3

આંશિક માલ: 30910

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.25 mOhm @ 20A, 10V,

VS-FC420SA10

આંશિક માલ: 159

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 435A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.15 mOhm @ 200A, 10V,

VS-FA72SA50LC

આંશિક માલ: 2626

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 72A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 80 mOhm @ 34A, 10V,

VS-FA40SA50LC

આંશિક માલ: 3254

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 130 mOhm @ 23A, 10V,