તરંગલંબાઇ: 850nm, સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ: 35nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 2V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1.8V, કેપેસિટીન્સ: 100pF,
તરંગલંબાઇ: 850nm, સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ: 35nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 2V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1V,
તરંગલંબાઇ: 850nm, સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ: 35nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 2.1V (Max), વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1V,
તરંગલંબાઇ: 840nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 2.09V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1.8V, કેપેસિટીન્સ: 55pF,
તરંગલંબાઇ: 850nm, સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ: 35nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 1.8V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1V,
તરંગલંબાઇ: 850nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 1.8V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1V,
