તર્ક પ્રકાર: XNOR (Exclusive NOR), સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 18V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: NOR Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 1, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 0.8V ~ 3.6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 500nA,
તર્ક પ્રકાર: Inverter, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 6, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 6, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 5.5V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 2µA,
તર્ક પ્રકાર: OR Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 3, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 3, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 18V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: OR Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 5.5V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 20µA,
તર્ક પ્રકાર: Inverter, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 6, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 6, વિશેષતા: Schmitt Trigger, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 1.65V ~ 3.6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: NAND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 1.65V ~ 3.6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: NAND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 5.5V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 2µA,
તર્ક પ્રકાર: NAND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 2µA,
તર્ક પ્રકાર: NAND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 1.65V ~ 3.6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 10µA,
તર્ક પ્રકાર: NAND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 2µA,
તર્ક પ્રકાર: XOR (Exclusive OR), સર્કિટ્સની સંખ્યા: 1, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 0.8V ~ 2.7V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 10µA,
તર્ક પ્રકાર: NOR Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 1.65V ~ 3.6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: XOR (Exclusive OR), સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 18V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: NOR Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 2, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 4, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 18V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: AND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 2µA,
તર્ક પ્રકાર: NAND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 3, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 3, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 2µA,
તર્ક પ્રકાર: NAND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વિશેષતા: Schmitt Trigger, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 5.5V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 20µA,
તર્ક પ્રકાર: OR Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 2µA,
તર્ક પ્રકાર: OR Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 1.65V ~ 3.6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: Inverter, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 6, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 6, વિશેષતા: Schmitt Trigger, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 2µA,
તર્ક પ્રકાર: AND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 1, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 0.8V ~ 3.6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 500nA,
તર્ક પ્રકાર: XOR (Exclusive OR), સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 2µA,
તર્ક પ્રકાર: Inverter, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 6, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 6, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 18V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 4µA,
તર્ક પ્રકાર: AND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 1.65V ~ 3.6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 10µA,
તર્ક પ્રકાર: Inverter, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 6, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 6, વિશેષતા: Open Drain, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 5.5V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 2µA,
તર્ક પ્રકાર: Inverter, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 6, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 6, વિશેષતા: Schmitt Trigger, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.3V ~ 3.6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 10µA,
તર્ક પ્રકાર: NOR Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 18V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: NAND Gate, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 18V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: XOR (Exclusive OR), સર્કિટ્સની સંખ્યા: 4, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 2, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 1.65V ~ 3.6V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 1µA,
તર્ક પ્રકાર: Inverter, સર્કિટ્સની સંખ્યા: 6, ઇનપુટ્સની સંખ્યા: 6, વિશેષતા: Schmitt Trigger, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 5.5V, વર્તમાન - શાંત (મહત્તમ): 20µA,
