ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

MBRF2035HC0G

આંશિક માલ: 132

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1003G C0G

આંશિક માલ: 150

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 975mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2045HC0G

આંશિક માલ: 91

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2007GHC0G

આંશિક માલ: 67

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF16100 C0G

આંશિક માલ: 97

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 850mV @ 16A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

S1JLWHRVG

આંશિક માલ: 155

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SK15H45 R0G

આંશિક માલ: 107

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS808GHMNG

આંશિક માલ: 70

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1005GAHC0G

આંશિક માલ: 123

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 300V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1690HC0G

આંશિક માલ: 78

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 850mV @ 16A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2003GHC0G

આંશિક માલ: 66

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 975mV @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DFSHMXG

આંશિક માલ: 144

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 150ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1003G C0G

આંશિક માલ: 78

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 975mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002GAHC0G

આંશિક માલ: 75

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 975mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100 C0G

આંશિક માલ: 116

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100HMNG

આંશિક માલ: 114

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JHC0G

આંશિક માલ: 153

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2V @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 20ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

HT18G A0G

આંશિક માલ: 89

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 75ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF507GHC0G

આંશિક માલ: 150

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 2.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS806G MNG

આંશિક માલ: 108

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

S1DFS MXG

આંશિક માલ: 87

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF503G C0G

આંશિક માલ: 136

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 980mV @ 2.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1006GHC0G

આંશિક માલ: 75

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF505GHC0G

આંશિક માલ: 126

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 300V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 2.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1007G C0G

આંશિક માલ: 119

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 500V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1635 C0G

આંશિક માલ: 72

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 630mV @ 16A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1601G C0G

આંશિક માલ: 120

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 16A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF745HC0G

આંશિક માલ: 112

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 7.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR16100HC0G

આંશિક માલ: 114

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 850mV @ 16A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

UG5J C0G

આંશિક માલ: 83

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 3V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 20ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1660HC0G

આંશિક માલ: 71

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 16A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1004GHC0G

આંશિક માલ: 147

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 975mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF735HC0G

આંશિક માલ: 69

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 7.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1006G C0G

આંશિક માલ: 120

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF501G C0G

આંશિક માલ: 74

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 975mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS804G MNG

આંશિક માલ: 78

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ