મેમરી

M48Z512BV-85PM1

M48Z512BV-85PM1

આંશિક માલ: 1719

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: NVSRAM, ટેકનોલોજી: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), મેમરી કદ: 4Mb (512K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 85ns,

વિશસૂચિ
M24C64-WMN6P

M24C64-WMN6P

આંશિક માલ: 488

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 64Kb (8K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 1MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M48Z12-150PC1

M48Z12-150PC1

આંશિક માલ: 8889

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: NVSRAM, ટેકનોલોજી: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 150ns,

વિશસૂચિ
M24C32M-FCU6T/TF

M24C32M-FCU6T/TF

આંશિક માલ: 152428

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 32Kb (4K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 1MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M27W512-100K6TR

M27W512-100K6TR

આંશિક માલ: 674

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EPROM, ટેકનોલોજી: EPROM - OTP, મેમરી કદ: 512Kb (64K x 8),

વિશસૂચિ
M95080-RMN6P

M95080-RMN6P

આંશિક માલ: 671

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 20MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M95010-RMN6P

M95010-RMN6P

આંશિક માલ: 619

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 20MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M48Z35Y-70MH1F

M48Z35Y-70MH1F

આંશિક માલ: 9901

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: NVSRAM, ટેકનોલોજી: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), મેમરી કદ: 256Kb (32K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 70ns,

વિશસૂચિ
M24M01-RMW6G

M24M01-RMW6G

આંશિક માલ: 487

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Mb (128K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 1MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M93C86-MN6

M93C86-MN6

આંશિક માલ: 9511

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 2MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M95020-WMN6T

M95020-WMN6T

આંશિક માલ: 9559

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 20MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M36W432T85ZA6T

M36W432T85ZA6T

આંશિક માલ: 8468

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH, મેમરી કદ: 32Mb (2M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 85ns,

વિશસૂચિ
M29W040B70N1

M29W040B70N1

આંશિક માલ: 7422

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 4Mb (512K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 70ns,

વિશસૂચિ
M93S56-WBN6

M93S56-WBN6

આંશિક માલ: 9585

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (128 x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 2MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M93C46-MN6

M93C46-MN6

આંશિક માલ: 9996

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 2MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M48Z02-70PC1

M48Z02-70PC1

આંશિક માલ: 9233

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: NVSRAM, ટેકનોલોજી: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 70ns,

વિશસૂચિ
M93C66-MN6TP

M93C66-MN6TP

આંશિક માલ: 9418

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 2MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M59DR032EA10ZB6

M59DR032EA10ZB6

આંશિક માલ: 9257

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 32Mb (2M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 100ns,

વિશસૂચિ
M93C56-RMN6P

M93C56-RMN6P

આંશિક માલ: 9334

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 1MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M93C46-RDS6G

M93C46-RDS6G

આંશિક માલ: 9301

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 1MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
NAND256W3A2BN6F

NAND256W3A2BN6F

આંશિક માલ: 9953

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 256Mb (32M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 50ns,

વિશસૂચિ
M95160-MN6T

M95160-MN6T

આંશિક માલ: 9716

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 10MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M93C56-RDS6G

M93C56-RDS6G

આંશિક માલ: 9417

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 1MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M87C257-12F1

M87C257-12F1

આંશિક માલ: 9267

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EPROM, ટેકનોલોજી: EPROM - UV, મેમરી કદ: 256Kb (32K x 8),

વિશસૂચિ
NAND128W3A0AN6F

NAND128W3A0AN6F

આંશિક માલ: 9809

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 128Mb (16M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 50ns,

વિશસૂચિ
M29W200BB90N6

M29W200BB90N6

આંશિક માલ: 7838

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 90ns,

વિશસૂચિ
M95256-RMN6P

M95256-RMN6P

આંશિક માલ: 2371

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 256Kb (32K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 20MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M93C66-MN6P

M93C66-MN6P

આંશિક માલ: 9383

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 2MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M87C257-15F6

M87C257-15F6

આંશિક માલ: 9319

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EPROM, ટેકનોલોજી: EPROM - UV, મેમરી કદ: 256Kb (32K x 8),

વિશસૂચિ
M58WR064ET70ZB6T

M58WR064ET70ZB6T

આંશિક માલ: 9207

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 64Mb (4M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 66MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 70ns,

વિશસૂચિ
M95080-MN6P

M95080-MN6P

આંશિક માલ: 9623

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 10MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M95160-WMN6

M95160-WMN6

આંશિક માલ: 9671

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 10MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M95040-MN6TP

M95040-MN6TP

આંશિક માલ: 9621

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 10MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M95128-RDW6TG

M95128-RDW6TG

આંશિક માલ: 9635

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 128Kb (16K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 20MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M95320-WDW6TG

M95320-WDW6TG

આંશિક માલ: 9754

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 32Kb (4K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 20MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,

વિશસૂચિ
M29W200BT55N1

M29W200BT55N1

આંશિક માલ: 9779

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ