પ્રકાર: MEMS, આવર્તન: XO (Standard), કાર્ય: 21MHz, આઉટપુટ: Standby (Power Down), વોલ્ટેજ - સપ્લાય: CMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 1.71V ~ 3.63V,
પ્રકાર: MEMS, આવર્તન: XO (Standard), કાર્ય: 22MHz, આઉટપુટ: Standby (Power Down), વોલ્ટેજ - સપ્લાય: CMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 1.71V ~ 3.63V,
પ્રકાર: MEMS, આવર્તન: XO (Standard), કાર્ય: 20MHz, આઉટપુટ: Standby (Power Down), વોલ્ટેજ - સપ્લાય: CMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 1.71V ~ 3.63V,
પ્રકાર: MEMS, આવર્તન: XO (Standard), કાર્ય: 2.5MHz, આઉટપુટ: Standby (Power Down), વોલ્ટેજ - સપ્લાય: CMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 1.71V ~ 3.63V,
પ્રકાર: MEMS, આવર્તન: XO (Standard), કાર્ય: 2.4576MHz, આઉટપુટ: Standby (Power Down), વોલ્ટેજ - સપ્લાય: CMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 1.71V ~ 3.63V,
પ્રકાર: MEMS, આવર્તન: XO (Standard), કાર્ય: 2.0972MHz, આઉટપુટ: Standby (Power Down), વોલ્ટેજ - સપ્લાય: CMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 1.71V ~ 3.63V,
પ્રકાર: MEMS, આવર્તન: XO (Standard), કાર્ય: 19.6608MHz, આઉટપુટ: Standby (Power Down), વોલ્ટેજ - સપ્લાય: CMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 1.71V ~ 3.63V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 25MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 10MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 30.72MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 40MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 20MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 20MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 40MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 24.576MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 19.44MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 20MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 20MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 16.384MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 25MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 26MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 12.8MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 26MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 10MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 19.2MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 30.72MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 19.2MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 24.576MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 19.44MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: MEMS, આવર્તન: XO (Standard), કાર્ય: 18MHz, આઉટપુટ: Standby (Power Down), વોલ્ટેજ - સપ્લાય: CMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 1.71V ~ 3.63V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 40MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 10MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 19.44MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: TCXO, કાર્ય: 19.2MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 24.576MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: LVCMOS, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
પ્રકાર: Crystal, આવર્તન: VCTCXO, કાર્ય: 16.384MHz, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: Clipped Sine Wave, આવર્તન સ્થિરતા: 3.3V,
