થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર - મોડ્યુલો

B511-2T

આંશિક માલ: 9770

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V,

B654SE-2T

આંશિક માલ: 9699

માળખું: 1-Phase Controller - All SCRs, એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

B664-2T

આંશિક માલ: 9649

માળખું: Common Cathode - All SCRs, એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M252512FV

આંશિક માલ: 1510

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V,

M508012F

આંશિક માલ: 749

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M5010014F

આંશિક માલ: 542

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M5010015

આંશિક માલ: 507

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

L513F

આંશિક માલ: 1050

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

F1892HD1000

આંશિક માલ: 638

માળખું: Series Connection - SCR/Diode, એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 1 SCR, 1 Diode, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M505042V

આંશિક માલ: 1186

માળખું: 1-Phase Controller - All SCRs, એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M505012F

આંશિક માલ: 996

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M5010012F

આંશિક માલ: 675

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M505014F

આંશિક માલ: 874

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

F1842SD1200

આંશિક માલ: 680

માળખું: Series Connection - All SCRs, એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M252512F

આંશિક માલ: 1632

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V,

L522F

આંશિક માલ: 1250

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 2), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

T542

આંશિક માલ: 1231

L514F

આંશિક માલ: 1053

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

F1827SD1000

આંશિક માલ: 772

માળખું: Series Connection - All SCRs, એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

F1892SD600

આંશિક માલ: 705

માળખું: Series Connection - All SCRs, એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M254012FV

આંશિક માલ: 1144

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V,

L512F

આંશિક માલ: 1293

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M505015F

આંશિક માલ: 750

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M505013F

આંશિક માલ: 923

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M5010013F

આંશિક માલ: 695

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M5010064

આંશિક માલ: 495

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

F1857SDK1200

આંશિક માલ: 642

માળખું: Series Connection - All SCRs, એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

L612F

આંશિક માલ: 787

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M505015FV

આંશિક માલ: 766

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M505062

આંશિક માલ: 1104

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M5010015F

આંશિક માલ: 485

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

L431

આંશિક માલ: 1541

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 100A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 22A, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V,

M5010012FV

આંશિક માલ: 643

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M505012FV

આંશિક માલ: 978

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M5010064V

આંશિક માલ: 514

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,

M5010012

આંશિક માલ: 692

માળખું: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), એસસીઆર, ડાયોડની સંખ્યા: 2 SCRs, 2 Diodes, વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V,