Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
0RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - સિંગલ, પ્રી-બાયસ્

  • ઘર
  •  
  • ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - સિંગલ, પ્રી-બાયસ્
PDTC124TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC124TMB,315

આંશિક માલ: 197204

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC143XM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143XM,315

આંશિક માલ: 133679

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA114EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA114EQAZ

આંશિક માલ: 107237

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTD123YQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTD123YQAZ

આંશિક માલ: 194211

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA143EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143EM,315

આંશિક માલ: 143219

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTB113ZQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB113ZQAZ

આંશિક માલ: 190452

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 1 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA124TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA124TM,315

આંશિક માલ: 146713

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA114TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTA114TT,215

આંશિક માલ: 189651

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
PBRN123ET,215
Nexperia USA Inc.

PBRN123ET,215

આંશિક માલ: 119309

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 280 @ 300mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC143TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTC143TT,215

આંશિક માલ: 158918

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA114EU/MIF
Nexperia USA Inc.

PDTA114EU/MIF

આંશિક માલ: 3208

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC144ET/DG/B2,21
Nexperia USA Inc.

PDTC144ET/DG/B2,21

આંશિક માલ: 1987

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA114TU,115
Nexperia USA Inc.

PDTA114TU,115

આંશિક માલ: 134951

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTB143ETR
Nexperia USA Inc.

PDTB143ETR

આંશિક માલ: 187450

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC124TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTC124TT,215

આંશિક માલ: 166184

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC114EU/MIF
Nexperia USA Inc.

PDTC114EU/MIF

આંશિક માલ: 3283

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC123ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTC123ET,215

આંશિક માલ: 108480

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 20mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTD113ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTD113ET,215

આંશિક માલ: 111240

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 1 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 1 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 33 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC114ET/DG/B2,21
Nexperia USA Inc.

PDTC114ET/DG/B2,21

આંશિક માલ: 3214

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC144WT,215
Nexperia USA Inc.

PDTC144WT,215

આંશિક માલ: 151833

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
PBRP113ET,215
Nexperia USA Inc.

PBRP113ET,215

આંશિક માલ: 123183

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 1 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 1 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 130 @ 300mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA143ZU,115
Nexperia USA Inc.

PDTA143ZU,115

આંશિક માલ: 147797

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC124EU,115
Nexperia USA Inc.

PDTC124EU,115

આંશિક માલ: 109049

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTD123TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTD123TT,215

આંશિક માલ: 187852

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTD123ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTD123ET,215

આંશિક માલ: 165507

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA123ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTA123ET,215

આંશિક માલ: 106175

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 20mA, 5V,

વિશસૂચિ
PBRP113ZT,215
Nexperia USA Inc.

PBRP113ZT,215

આંશિક માલ: 152482

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 1 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 230 @ 300mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTB114ETR
Nexperia USA Inc.

PDTB114ETR

આંશિક માલ: 192410

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTB143XTR
Nexperia USA Inc.

PDTB143XTR

આંશિક માલ: 143596

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA144EU,115
Nexperia USA Inc.

PDTA144EU,115

આંશિક માલ: 110875

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA124EU,115
Nexperia USA Inc.

PDTA124EU,115

આંશિક માલ: 161373

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTA123JU,115
Nexperia USA Inc.

PDTA123JU,115

આંશિક માલ: 178478

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10µA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC143XU,115
Nexperia USA Inc.

PDTC143XU,115

આંશિક માલ: 155441

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTD143ETR
Nexperia USA Inc.

PDTD143ETR

આંશિક માલ: 130897

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC143ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTC143ET,215

આંશિક માલ: 185200

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
PDTC124XU,115
Nexperia USA Inc.

PDTC124XU,115

આંશિક માલ: 180947

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ