સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.2" (5.08mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 60mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 60mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.118" (3mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 60mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 40mA, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.168" (4.27mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Photodiode,
સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.168" (4.27mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 8mA, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
