Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી., મોસ્ફેટ્સ - એકલ

  • ઘર
  •  
  • ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી., મોસ્ફેટ્સ - એકલ
IRFH5250TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5250TR2PBF

આંશિક માલ: 855

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 45A (Ta), 100A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.15 mOhm @ 50A, 10V,

વિશસૂચિ
IPB80N06S4L05ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S4L05ATMA1

આંશિક માલ: 932

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 80A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF7769L2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF7769L2TR1PBF

આંશિક માલ: 928

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 375A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.5 mOhm @ 74A, 10V,

વિશસૂચિ
IRFR3410TRRPBF
Infineon Technologies

IRFR3410TRRPBF

આંશિક માલ: 923

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 31A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 39 mOhm @ 18A, 10V,

વિશસૂચિ
IRLU2905ZPBF
Infineon Technologies

IRLU2905ZPBF

આંશિક માલ: 44991

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 42A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13.5 mOhm @ 36A, 10V,

વિશસૂચિ
SI3443DVTRPBF
Infineon Technologies

SI3443DVTRPBF

આંશિક માલ: 994

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.4A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

વિશસૂચિ
IPB034N06N3GATMA1
Infineon Technologies

IPB034N06N3GATMA1

આંશિક માલ: 952

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF9321PBF
Infineon Technologies

IRF9321PBF

આંશિક માલ: 6152

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7.2 mOhm @ 15A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF9393PBF
Infineon Technologies

IRF9393PBF

આંશિક માલ: 6188

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.2A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13.3 mOhm @ 9.2A, 20V,

વિશસૂચિ
IRF7475TRPBF
Infineon Technologies

IRF7475TRPBF

આંશિક માલ: 1012

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.8V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

વિશસૂચિ
IRF5210PBF
Infineon Technologies

IRF5210PBF

આંશિક માલ: 33215

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 60 mOhm @ 24A, 10V,

વિશસૂચિ
IRFH5106TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5106TR2PBF

આંશિક માલ: 966

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 21A (Ta), 100A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5.6 mOhm @ 50A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF6708S2TRPBF
Infineon Technologies

IRF6708S2TRPBF

આંશિક માલ: 995

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 13A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8.9 mOhm @ 13A, 10V,

વિશસૂચિ
IPA90R340C3XKSA1
Infineon Technologies

IPA90R340C3XKSA1

આંશિક માલ: 11571

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 340 mOhm @ 9.2A, 10V,

વિશસૂચિ
IRFH6200TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH6200TR2PBF

આંશિક માલ: 933

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 49A (Ta), 100A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 0.95 mOhm @ 50A, 10V,

વિશસૂચિ
IRFHM830DTR2PBF
Infineon Technologies

IRFHM830DTR2PBF

આંશિક માલ: 984

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A (Ta), 40A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

વિશસૂચિ
IRFP4110PBF
Infineon Technologies

IRFP4110PBF

આંશિક માલ: 16957

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 120A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF7815PBF
Infineon Technologies

IRF7815PBF

આંશિક માલ: 906

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 150V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.1A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 43 mOhm @ 3.1A, 10V,

વિશસૂચિ
IRFH5204TRPBF
Infineon Technologies

IRFH5204TRPBF

આંશિક માલ: 1051

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A (Ta), 100A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.3 mOhm @ 50A, 10V,

વિશસૂચિ
SPW20N60C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW20N60C3FKSA1

આંશિક માલ: 12209

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 650V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20.7A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF7707TRPBF
Infineon Technologies

IRF7707TRPBF

આંશિક માલ: 1001

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

વિશસૂચિ
IRF7705TRPBF
Infineon Technologies

IRF7705TRPBF

આંશિક માલ: 6096

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 8A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF9392PBF
Infineon Technologies

IRF9392PBF

આંશિક માલ: 6197

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.8A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12.1 mOhm @ 7.8A, 20V,

વિશસૂચિ
IRF6201PBF
Infineon Technologies

IRF6201PBF

આંશિક માલ: 967

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 27A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.45 mOhm @ 27A, 4.5V,

વિશસૂચિ
IRFH5007TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5007TR2PBF

આંશિક માલ: 924

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 75V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 17A (Ta), 100A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5.9 mOhm @ 50A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF6713STRPBF
Infineon Technologies

IRF6713STRPBF

આંશિક માલ: 987

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A (Ta), 95A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 mOhm @ 22A, 10V,

વિશસૂચિ
IPD60R3K3C6
Infineon Technologies

IPD60R3K3C6

આંશિક માલ: 1044

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.7A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.3 Ohm @ 500mA, 10V,

વિશસૂચિ
IPP60R450E6XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R450E6XKSA1

આંશિક માલ: 1048

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.2A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 450 mOhm @ 3.4A, 10V,

વિશસૂચિ
IRFR3505TRPBF
Infineon Technologies

IRFR3505TRPBF

આંશિક માલ: 953

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13 mOhm @ 30A, 10V,

વિશસૂચિ
IPB021N06N3GATMA1
Infineon Technologies

IPB021N06N3GATMA1

આંશિક માલ: 944

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 120A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.1 mOhm @ 100A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF6655TR1
Infineon Technologies

IRF6655TR1

આંશિક માલ: 915

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.2A (Ta), 19A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 62 mOhm @ 5A, 10V,

વિશસૂચિ
IPB120N06S402ATMA1
Infineon Technologies

IPB120N06S402ATMA1

આંશિક માલ: 956

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 120A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF7779L2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF7779L2TR1PBF

આંશિક માલ: 874

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 150V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 375A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11 mOhm @ 40A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF6798MTR1PBF
Infineon Technologies

IRF6798MTR1PBF

આંશિક માલ: 920

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 37A (Ta), 197A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.3 mOhm @ 37A, 10V,

વિશસૂચિ
IRF6794MTRPBF
Infineon Technologies

IRF6794MTRPBF

આંશિક માલ: 970

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 32A (Ta), 200A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.7 mOhm @ 32A, 10V,

વિશસૂચિ
IPI80P03P4L07AKSA1
Infineon Technologies

IPI80P03P4L07AKSA1

આંશિક માલ: 82259

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 80A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7.2 mOhm @ 80A, 10V,

વિશસૂચિ