તરંગલંબાઇ: 1310nm, સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ: 145nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 2V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 3V, કેપેસિટીન્સ: 70pF,
તરંગલંબાઇ: 350nm, સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ: 20nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 1.9V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 40mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 5V,
તરંગલંબાઇ: 850nm, સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ: 50nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 2V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 5V, કેપેસિટીન્સ: 70pF,
તરંગલંબાઇ: 850nm, સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ: 850nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 2.2V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 10V, કેપેસિટીન્સ: 100pF,
તરંગલંબાઇ: 1310nm, સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ: 2nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 1.5V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 2V, કેપેસિટીન્સ: 15pF,
સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ: 20nm, વોલ્ટેજ - આગળ (વીએફ) (પ્રકાર): 1.9V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 40mA,
