મેમરી

AS6C8016A-55BIN

AS6C8016A-55BIN

આંશિક માલ: 12964

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 8Mb (512K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

આંશિક માલ: 10825

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 256Mb (8M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz,

વિશસૂચિ
AS4C64M8D2-25BIN

AS4C64M8D2-25BIN

આંશિક માલ: 13275

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR2, મેમરી કદ: 512Mb (64M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C4M32S-6BIN

AS4C4M32S-6BIN

આંશિક માલ: 14008

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 128Mb (4M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 2ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D2A-25BIN

AS4C64M16D2A-25BIN

આંશિક માલ: 13480

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR2, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C4M32SA-6TIN

AS4C4M32SA-6TIN

આંશિક માલ: 13988

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 128Mb (4M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 2ns,

વિશસૂચિ
AS4C2M32S-6BIN

AS4C2M32S-6BIN

આંશિક માલ: 14281

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 64Mb (2M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 2ns,

વિશસૂચિ
AS6C8016-55TINTR

AS6C8016-55TINTR

આંશિક માલ: 135

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 8Mb (512K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16MD1A-5BIN

AS4C64M16MD1A-5BIN

આંશિક માલ: 138

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 200MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS6C4008-55PIN

AS6C4008-55PIN

આંશિક માલ: 13931

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 4Mb (512K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D3L-12BIN

AS4C128M8D3L-12BIN

આંશિક માલ: 13915

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS7C32096A-10TIN

AS7C32096A-10TIN

આંશિક માલ: 15685

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 2Mb (256K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

આંશિક માલ: 14090

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 256Mb (16M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 12ns,

વિશસૂચિ
AS7C34096A-10JCN

AS7C34096A-10JCN

આંશિક માલ: 14077

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 4Mb (512K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C4098A-12JIN

AS7C4098A-12JIN

આંશિક માલ: 14067

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 4Mb (256K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 12ns,

વિશસૂચિ
AS7C34098A-10JIN

AS7C34098A-10JIN

આંશિક માલ: 14114

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 4Mb (256K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
AS7C4096A-15JIN

AS7C4096A-15JIN

આંશિક માલ: 17709

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 4Mb (512K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS7C4096A-12JIN

AS7C4096A-12JIN

આંશિક માલ: 14076

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 4Mb (512K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 12ns,

વિશસૂચિ
AS7C34096A-12JCN

AS7C34096A-12JCN

આંશિક માલ: 14045

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 4Mb (512K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 12ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D3LB-12BAN

AS4C64M16D3LB-12BAN

આંશિક માલ: 141

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D2-25BCN

AS4C128M8D2-25BCN

આંશિક માલ: 14359

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR2, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

આંશિક માલ: 14985

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 256Mb (16M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 143MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 14ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

આંશિક માલ: 1202

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D3LB-12BCN

AS4C128M8D3LB-12BCN

આંશિક માલ: 1591

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C64M16D2A-25BAN

AS4C64M16D2A-25BAN

આંશિક માલ: 128

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR2, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 400MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C256M8D3LB-12BCN

AS4C256M8D3LB-12BCN

આંશિક માલ: 113

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 2Gb (256M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

આંશિક માલ: 14878

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 256Mb (8M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 143MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 2ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D3B-12BANTR

AS4C128M8D3B-12BANTR

આંશિક માલ: 67

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D3LB-12BANTR

AS4C128M8D3LB-12BANTR

આંશિક માલ: 64

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

આંશિક માલ: 109

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 256Mb (8M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz,

વિશસૂચિ
AS6C8016-55ZINTR

AS6C8016-55ZINTR

આંશિક માલ: 14645

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 8Mb (512K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS6C8008-55ZINTR

AS6C8008-55ZINTR

આંશિક માલ: 14566

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 8Mb (1M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,

વિશસૂચિ
AS4C8M16SA-6BAN

AS4C8M16SA-6BAN

આંશિક માલ: 15267

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM, મેમરી કદ: 128Mb (8M x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 12ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D3LA-12BCN

AS4C128M8D3LA-12BCN

આંશિક માલ: 14640

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3L, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C32M32MD1A-5BINTR

AS4C32M32MD1A-5BINTR

આંશિક માલ: 164

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - Mobile LPDDR, મેમરી કદ: 1Gb (32M x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 200MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
AS4C128M8D3-12BIN

AS4C128M8D3-12BIN

આંશિક માલ: 14768

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: DRAM, ટેકનોલોજી: SDRAM - DDR3, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 800MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ