ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 25

MURTA20040

આંશિક માલ: 958

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 100A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURTA30040

આંશિક માલ: 977

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A120

આંશિક માલ: 3912

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 120V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 50A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 50A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT30045

આંશિક માલ: 1259

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR60040CT

આંશિક માલ: 792

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 300A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FST10035

આંશિક માલ: 1520

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 100A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURTA200120R

આંશિક માલ: 942

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2.6V @ 100A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURTA300120

આંશિક માલ: 1023

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2.6V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CT

આંશિક માલ: 1147

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 500A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT200150R

આંશિક માલ: 1663

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 100A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURT30020R

આંશિક માલ: 1097

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080

આંશિક માલ: 1313

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 400A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060R

આંશિક માલ: 1006

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 100A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR120150CTR

આંશિક માલ: 1494

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 60A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 60A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR50035CT

આંશિક માલ: 1122

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 500A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURT40020R

આંશિક માલ: 1057

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 400A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT500200R

આંશિક માલ: 1085

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 250A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 920mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MSRT15060(A)D

આંશિક માલ: 1915

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Series Connection, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR300200CTR

આંશિક માલ: 1431

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 920mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT12060

આંશિક માલ: 1889

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 120A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 60A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT40035R

આંશિક માલ: 1140

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 400A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURT20020R

આંશિક માલ: 1216

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 200A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 100A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT40060

આંશિક માલ: 1318

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 400A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURTA600120R

આંશિક માલ: 883

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2.6V @ 300A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR50040CTR

આંશિક માલ: 1166

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 500A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A060

આંશિક માલ: 4118

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 80A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 80A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FST10060

આંશિક માલ: 1587

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 100A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR300100CT

આંશિક માલ: 1480

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT12020

આંશિક માલ: 1845

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 120A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 60A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT60060R

આંશિક માલ: 901

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 600A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 300A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MUR10010CTR

આંશિક માલ: 1598

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 50A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A045

આંશિક માલ: 3224

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 100A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURTA600120

આંશિક માલ: 921

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2.6V @ 300A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A060

આંશિક માલ: 4141

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 60A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 60A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FST10030

આંશિક માલ: 1544

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 100A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT40040

આંશિક માલ: 1158

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 400A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ